#清明节游玩日记#
从研发支出上来看，北方华创和中微的研发投入的绝对值远不及全球龙头厂商，但从占比来看，中微半导体的研发投入占营收比重最高，但高研发的背后，存在的问题是，研发资本化比例非常高，假如扣除资本化支出后，净利润可就亏了。
当然，对于技术要求极高的领域，资本化处理也能理解。
研发费用资本化，这个地方我们此前多次提及，也是中美会计准则中的一个重要差异，考虑到研发费用资本化的界定标准存在一定的主观因素，因此，此处如果大家做实地调研，需要关注。
好，研发投入了这么多，那么，中微半导体和国际巨头之间的差距到底有多少呢？
芯片制造最核心的指标就是制程，即精细度（单位：nm）。两台机器差别有多大，通过其刻蚀最大制程对比就一目了然：
北方华创NMC612D——其最大芯片制程为28nm，该设备已进入中芯国际生产线；
中微半导体的Primo nanova——涵盖14nm、7nm、到5nm尺寸的刻蚀应用，其中7nm已进入台积电生产线。而5nm的精细度已经与国际巨头目前设备水平一致。
研究了这么多，看起来，中微半导体与国际巨头的差距似乎没多少，但事实上，技术的差距并没有这么乐观。
这样的精细程度，并不是应用于所有的材料。
目前，干法刻蚀根据被刻蚀的材料类型来分类，分为三种：金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀。
介质刻蚀，是在绝缘材料上将半导体器件中导电部分分隔开；
金属刻蚀，主要用于连接形成集成电路各个金属部件；
硅刻蚀，主要用于去除不需要的硅材料。
注意，硅刻蚀的难度最高，其为底层电路结构的雕刻，是刻蚀工艺中最重要的部分，硅材料刻蚀是对晶体管的刻蚀，其工艺直接定义半导体芯片的制程（精细度）。
因此，我们重点来看硅蚀刻，硅蚀刻的技术难度如何，我们用硅材料对刻蚀的选择比（Highly selective etch）这个指标来看。
举个例子，一个晶圆上有多层材料堆叠构成，只刻蚀上面一层材料（材料1），而同时保证下层材料（材料2）不被刻蚀。材料一与材料2的刻蚀速度的比率称为“选择比”，选择比越高，技术工艺要求越高。
金属刻蚀选择比最低，在4:1到20:1之间，其次是介质刻蚀，在20:1到50:1之间，而对于硅刻蚀，由于多晶硅栅、浅槽隔离等尺寸极小，故精度要求极高，选择比要达到 150：1 左右。
预知后续，且听下回分解
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