場效應管FET

1.JFET傳輸特性曲線

圖一

圖二

圖三

1.N溝道 GS加負電壓，P溝道GS加正向電壓。

2.通過改變GS電壓，改變栅極和襯底PN結耗盡層的大小，進而改變溝道大小來控制電流大小。

3.Idss 和Gm分散性比較大。由Idss确定Vgs.

4.耗盡型mosfet  VGS=0 時，ID不等于0，是以不應用在放大以及開關、功率電路中。