场效应管FET

1.JFET传输特性曲线

图一

图二

图三

1.N沟道 GS加负电压，P沟道GS加正向电压。

2.通过改变GS电压，改变栅极和衬底PN结耗尽层的大小，从而改变沟道大小来控制电流大小。

3.Idss 和Gm分散性比较大。由Idss确定Vgs.

4.耗尽型mosfet  VGS=0 时，ID不等于0，所以不应用在放大以及开关、功率电路中。