書籍：《炬豐科技-半導體工藝》
文章：單晶片光刻膠去除技術
編号：JFKJ-21-373
作者：炬豐科技
介紹
光刻膠的去除材料（光刻膠的去除）很快，但在實踐中可能很困難和複雜。經典方法包括SPM（過氧化硫子產品）/食人魚、臭氧和硼材料。溶劑型流體例如n-甲基吡咯烷酮（NMP）、組合、二甲基亞氨基甲酸（DMSO）和四铵甲（TMSO），以各種形式和結合該工藝。通常将溶劑與溫度或氣體（1）結合使用，以提高産量并減少在厚厚的公關環境中因膨脹導緻系統損壞。動态也可以吸收标準溶劑組合，包括氣溶膠（2）和通過聲能（3）對溶劑的實體活化，以幫助減少處理時間和因PR薄膜膨脹而引起的所有損壞。已經使用了各種特性和CO2組合實作了幹濕幹組合。控制的複雜性。由于含有豐富的物質、交聯劑進行了或這些劑下的敏感金屬或材料等，将這些材料加工制造加工成一件。這項研究是為了确定在商業半導體抗抗腐蝕劑清除工藝中使用獨特的基于相流體的光緻吸附劑的可能。由于其高度動态的内部結構，相流體滲透到光刻膠的聚合物網絡中标材料從表面吸收劑，而不是溶劑的表面或表面反應。
理論
由形成的穩定微粉末的兩種不混溶液體的異質混合物組成。分離力之間建立了平衡，使乳液的成分保持動态或納米級形狀變化。當這種實體動力非常變化。強的流體材料表面用于光膠之類的薄膜時，低表面能允許聚合物表面中的非常空隙滲透，并最終形成光刻劑層脫離基礎。獨立，而不是薄膜的溶解或溶解。不禁止任何相權，因為微細的将成長不平衡，力求立即中和，停止任何反應。
單片超音波加上大型的兆聲波能量會在過程流體行業中引領空化标準。内爆沖擊空化和未來的微波将流體擴充到廣泛的表面。這實作了直接在地面表面快速流動。聲增強處理的初始應用針對顆粒，因為空化将微粒和納米顆粒移動到宏觀流動并遠離地面的能力。對清潔性能高。後來在單縱配置中距離超音速應用到光刻膠和橫比工藝中，既增加了同步性，又增加了工藝時間（增加了産量）(5)。由于智能流體®的作用是實體流體基底膜界面，空化内表面，是以終層迷宮的流體快速交換通過擴散層加速了傳統載體/生物工藝，進而大大提高了工藝時間和工藝的使用。
實驗結果
每一工藝和材料組合的兩個主要性能标準是： 最終反應時間，定義為流體和光刻膠膜之間首次觀察到的實體反應。完成銷毀的時間定義為完成光刻膠剝除的點。由于拍攝條件的接觸，視角測量和比較不是結論性的，測量接觸角并與矽一起參考進行比較。在進一步測試中實施精制的殘留檢測方法。