一般情況下普遍用于高端驅動的MOS管，導通時需要是栅極電壓大于源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，是以這時栅極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。
很多馬達驅動器都內建了電荷泵，要注意的是應該選擇合适的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。
MOS管是電壓驅動，按理說隻要栅極電壓到到開啟電壓就能導通DS，栅極串多大電阻均能導通。但如果要求開關頻率較高時，栅對地或VCC可以看做是一個電容，對于一個電容來說，串的電阻越大，栅極達到導通電壓時間越長，MOS處于半導通狀态時間也越長，
在半導通狀态内阻較大，發熱也會增大，極易損壞MOS，是以高頻時栅極栅極串的電阻不但要小，一般要加前置驅動電路的。下面就讓立深鑫電子帶領大家一起去認識MOS管開關的基礎知識。
一、MOS管原理
1、MOS管種類和結構：
MOS管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，是以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
至于為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。
對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS管。原因是導通電阻小，且容易制造。是以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS管.下面的介紹中，也多以NMOS為主。
2、MOS管導通特性：
導通的意思是作為開關，相當于開關閉合。
NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就會導通，适合用于源極接地時的情況（低端驅動），隻要栅極電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS管的特性，Vgs小于一定的值就會導通，适合用于源極接VCC時的情況（高端驅動）。但是，雖然PMOS管可以很友善地用作高端驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS管
3、MOS開關管損失：
不管是NMOS管還是PMOS管,導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
MOS管在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS管兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間内，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。
導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失；降低開關頻率，可以減小機關時間内的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。