MOS管在電路中的應用
電子産品生産中不可或缺的兩個核心“人物”，那便是mos管與三極管，它們兩者都在電路中發揮着重要的效果，尤其是MOS管，深受電子工程師的喜愛，因為MOS管相比于三極管，開關速度快，導通電壓低，電壓驅動簡略，是以越來越受工程師的喜歡，可是，若不妥規劃，哪怕是小功率MOS管，也會導緻晶片燒壞，原本想着更簡略的，最後變得愈加複雜。這幾年來一向做高頻電源規劃，也觸及嵌入式開發，對巨細功率MOS管，都有必定的了解，是以把心中了解的經驗總結一番，構成理論模型。MOS管等效電路及使用電路，把MOS管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：
咱們知道，MOS管的輸入與輸出是相位相反，剛好180度，也便是等效于一個反相器，也能夠了解為一個反相作業的運放，如下圖：MOS管在電路中的應用
有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，能夠一眼看出，這便是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，可是當開關速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比方310V下，經過Cgd的電流比較大，強的積分很容易引起振動，這個振動叫米勒振動。是以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開關導通或者關斷的那段時刻，也便是積分那段時刻，叫米勒管道，如下圖圓圈中的那部分為米勒管道，右邊的是振動嚴峻的米勒振動：
因為MOS管的反應引入了電容，當這個電容足夠大，而且前段信号變化快，後端供電電壓高，三者結合起來，就會引起積分過充振動，這個等價于溫控的PID中的I模型，要想處理處理這個米勒振動，在頻率和電壓不變的情況下，一般能夠進步MOS管的驅動電阻，減緩開關的邊沿速度，其次比較有效的方法是添加Cgs電容。在條件允許的情況下，能夠在Cds之間并上低内阻抗沖擊的小電容，或者用RC電路來做吸收電路。下圖給出我常用的三顆大功率MOS管的電容值：LCR電橋直接丈量。
從圖上能夠看出，Inifineon6代MOS管和APT7代MOS管功能遠遠不如碳化矽功能，它的各個目标都很小，當米勒振動經過其他手段無法下降時，能夠考慮更換更小的米勒電容MOS管，尤其需要重視Cgd要盡可能的小于Cgs。
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