繼續分享 電工學基礎 第90期，靜态工作點的穩定 之“溫度對靜态工作點的影響”。
前兩天分享過，放大電路應該有合适的靜态工作點，以保證有較好的放大效果，且不引起非線性失真。 上邊提到過下式：
圖9-8電路中，Ib≈Vcc/Rb，當Rb一經標明，Ib也就固定不變了，故其電路稱為固定偏置電路。影響靜态工作點的因素很多，其中影響最大的就是溫度。
1、溫度對靜态工作點的影響：溫度的變化要影響半導體的參數Iceo、β、Vbe，而使靜态工作點發生變化。因為Icbo是由集電區的少數載流子空穴的漂移運動所形成的。溫度越高，少數載流子的數量越多。是以當溫度升高時Icbo随着增大。而Iceo=(β+1）*Icbo
它增加的幅度更大！
例如：β=60的管子，當溫度上升使Icbo增加10微安時，Iceo大約增加0.6毫安。由于Iceo是集電極電流Ic的一部分，是以Ic也增大，這使半導體的整個輸出特性曲線向上平移（如圖9-11所示）。在此情況下，如果負載線和偏流Ib（設為40毫安）均未變化，那麼靜态工作點就從Q移動到Q′，使工作範圍從Q1Q2移動到Q′1Q′2（設基極電流在20～60之間變化），而進入飽和區，對放大電路的工作顯然是有影響。為此需要改進偏置電路，以使工作點穩定。 從圖9-11可見，采用這樣的偏置電路：“當溫度升高後，偏流能自動減小，工作點 Q ′′ 仍在原工作點Q附近，靜态值也就沒有啥變化了”。
2、溫度的變化對放大系數的影響：溫度升高β值變大，輸出特性曲線組的間距将變寬，是以靜态工作點上移，Ic增大，影響放大電路的正常工作。
3、溫度的變化影響發射結電壓 Vbe：因為溫度升高，載流子運動加劇，對應于同樣大小的Ib、Vbe将減小，半導體的輸入特性曲線向左偏移（如圖9-12a），圖中的直線是輸入電路的負載線，其做法與輸入電路一樣。當溫度升高後，靜态工作點從Q移動到Q′，可見Vbe減小了，而Ib增大了。反映到特性曲線上（如圖9-12b），Ic也增大了，并有可能使工作點或工作範圍進入飽和區。
Icbo與溫度的關系接近于指數函數規律，溫度每升高1℃，Vbe下降2毫伏、β值大約增加（0.5～1）%。
由此可知，Icbo、β、Vbe三者随着溫度升高的變化，都使集電極電流的靜态值Ic增大。
明天接着分享 “當溫度變化時，要使Ic近似維持不變以穩定靜态工作點，可采用分壓式偏置電路……”
