繼續分享 電工學基礎 第81期，半導體的特性曲線。
半導體的特性曲線是内部載流子運動的外部表現，它反映出半導體的性能，是分析放大電路的重要依據。可通過如圖8-21實驗電路進行測繪（電路用NPN型矽管3DG6）
1、輸入特性曲線： 是指當集—射極電壓Vce為常數時，輸入電路中基極電流Ib與集—射極電壓Vbe之間的關系曲線Ib=f(Vbe)如圖8-22所示。對于矽管而言，當Vce≥1伏時，集電結已經反向偏置，并且内電場已足夠大，可以把從發射區擴散到基區的電子中的絕大部分拉入集電區。如果此時再增大Vce，隻要Vbe保持不變，Ib也就基本保持不變。也就是說：Vce≥1伏後的輸入特性曲線基本上是重合的。由圖8-22可見，和二極管的伏安特性曲線一樣，隻有在發射結外加電壓大于死區電壓時，半導體才會出現Ib 。矽管的死區電壓約為0.5伏，鍺管的死區電壓不超過0.2伏。在正常工作情況下NPN型矽管的發射結電壓Vbe=0.6～0.7伏，PNP型鍺管的Vbe=-0.2～-0.3伏
2、輸出特性曲線： 是指當基極電流Ib為常數時，輸出電路中集電極電流Ic與集電極—發射極電壓Vce之間的關系曲線Ic=f(Vce)
在不同的Ib下可得出不同的曲線，是以半導體的輸出特性曲線是一組曲線，如圖8-23所示。 當Ib一定時，從發射區擴散到基區的電子數大緻是一定的。在Vce超過1伏以後，這些電子的絕大部分被拉入集電區而形成Ic，以至于當Vce繼續增高時，Ic也不再有明顯的增加，具有“恒流特性”。 當Ib增大時Ic也增大，曲線上移，而且Ic比Ib增加的多得多，這就是半導體的電流放大作用。
⛑如圖8-23所示，通常把半導體的輸出特性曲線分為三個部分：
（1）放大區： 輸出特性曲線的近似于水準部分是“放大區”。這裡Ic=βIb（放大區也稱為線性區），因為兩者之比等于β（成正比關系）。這時發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置。
（2）截止區：Ib=0的曲線以下的區域稱為“截止區”。這時Ic=Iceo 對于NPN型矽管而言，當Vbe＜0.5伏時就已經開始截止，但是為了截止可靠，常使Vbe≤0 截止時集電結處于反向偏置。
（3）飽和區： 當Vce＜Vbe時，集電結處于正向偏置，半導體工作于飽和狀态。在飽和區Ib的變化對Ic的影響較小，兩者不成正比，放大區的β（電流放大系數）不能适用于飽和區，飽和時發射結也處于正向偏置。
