【筆記】模電--lesson04 半導體

1. 集電區：面積大；

2. 半導體的放大原理

   1）放大的條件：發射結正偏，uBE>Uon;集電結反偏，uCB>=0,即uCE>=uBE.

   2)因發射區多子濃度高，使大量電子從發射區擴散到基區；因基區薄且多子濃度低，使極少數擴散到基區的電子與空穴複合；因集電區面積大，在外電場作用下大部分擴撒到