作為2022年度旗艦SoC代表，高通新骁龍8和聯發科天玑9000的強悍毋庸置疑，其中天玑9000雖然量産時間較晚，但整體的能效比更好，實際的遊戲表現甚至還要在新骁龍8之上，聯發科的高端逆襲之路終于見到曙光。
天玑9000向下相容LPDDR5記憶體
其中，天玑9000較之新骁龍8還有一個必殺技，那就是首發支援全新的LPDDR5X記憶體标注。可惜這個并非強制，第一批上市的天玑9000手機，如OPPO Find X5 Pro天玑版标配的依舊是LPDDR5記憶體，今晚釋出的Redmi K50天玑9000版大機率也是如此。
那麼，作為傳說中的下一代記憶體，LPDDR5X有啥特别之處？
從LPDDR5到LPDDR5X的進化
LPDDR5記憶體标準在2019年2月公布，并于2020年随骁龍865移動平台而正式量産，兩個時間節點均早于适用PC平台的DDR5記憶體，讓智能手機體驗了一把“首發”和“獨占”的感覺。實際上，上一代的LPDDR4（LPDDR4X）也是搶在DDR4之前登陸消費者市場，可見智能手機的技術疊代速度在一定程度上已經超過了PC。
由于DDR5記憶體的Prefetch預讀取位數也更新到了16bit，是以它在幾乎所有性能名額上都要優于LPDDR5。當然，功耗除外，DDR5的VDDQ電壓依舊是1.1V，而LPDDR5的VDDQ電壓則進一步下降到0.5V。
LPDDR5和LPDDR4X之别
和上代LPDDR4X相比，LPDDR5主要在3個方面進行了更新。首先，LPDDR4X僅支援Single Bank Group模式，而LPDDR5則支援多Bank Group模式，我們可以将其了解為資料傳輸從單車道變成了多車道，進一步提升了傳輸資料帶寬；其次，LPDDR5的資料傳輸速率從4266MT/s先後提升至5500MT/s和6400MT/s，傳輸帶寬進一步增加；最後，LPDDR5的VDDQ電壓比LPDDR4X低0.1V，它還引入了DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作時切換至更低的0.3V電壓，進一步降低功耗。
問題來了，當手機内置了相同容量和速度的LPDDR5記憶體晶片，它們之間的性能就一定相同嗎？
答案自然是否定的。
以三星為例，它旗下的LPDDR5記憶體就至少包含了2種工藝和3種容量的晶片版本，比如D1y工藝的8Gb和12Gb，以及D1z工藝（采用極紫外EUV光刻技術）的12Gb和16Gb等，新工藝可使晶片尺寸較前一代縮小約18%，功耗也略有降低。
此外，上述記憶體晶片的容量機關都是“Gb”，每顆8Gb、12G、16Gb晶片對應的實際容量分别為1GB、1.5GB和2GB。
智能手機内置的記憶體晶片看似隻有1顆，但它其實是由多顆晶片堆疊封裝而來。以16GB的LPDDR5記憶體晶片為例，它既可以是由8顆D1y 12Gb晶片和4顆D1y 8Gb晶片封裝而成，也能直接由8顆D1z 16Gb的晶片封裝，就性能表現顯然是後者更好，還能進一步降低發熱、減少功耗以及對手機内部空間的侵占。
全新LPDDR5X的變化
全新的LPDDR5X是JEDEC固态存儲協會在2021年7月底正式釋出的記憶體标準，由JEDEC的JC-42.6低功耗存儲器小組委員會開發，這是對LPDDR5的可選擴充，專注于提高性能、功耗和靈活性，旨在提高包括5G通信性能、汽車高分辨率增強現實/虛拟現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的記憶體性能。和現有的滿血版LPDDR5-6400記憶體相比，LPDDR5X有了以下3點改進：
1、帶寬從6400MT/s增至8533MT/s；
2、TX/RX均衡改善信号完整性；
3、通過新的自适應重新整理管理提高可靠性。
LPDDR5X向下相容LPDDR5，簡化了SoC和支援新型記憶體平台的開發周期，可在市場上共存和互補。需要注意的是，并不是所有的5G SoC都支援“滿血版”的LPDDR5X-8533記憶體，比如聯發科天玑9000暫時就僅支援LPDDR5X-7500，但即便如此，其性能也要比滿血版的LPDDR5-6400速度提升17%，延遲降低15%。
目前，三星和美光都已經實作了LPDDR5X記憶體的量産。其中，三星的LPDDR5X采用14nm DRAM工藝，單晶片容量可達16Gb，最高可以組成高達64GB容量的規格，官方稱其能耗較LPDDR5降低了20%左右，旨在推動包括 5G、AI、元宇宙在内的高速資料服務應用的進一步增長。
美光則比三星還要更快一步，它是業内首家送樣并驗證該款業界最快、最先進移動記憶體的半導體廠商，并已出貨首批基于1α節點的LPDDR5X樣片（7500MT/s版本），還在聯發科天玑9000平台上完成了對美光LPDDR5X DRAM記憶體的驗證。
至于三星和美光的LPDDR5X記憶體誰更強，這種全新的記憶體顆粒可以幫下一代旗艦級手機提升多少性能，還是需要等實際産品量産上市後才能做出準确判斷，一起期待吧。