小米12 Pro目前已上市發售，除了配置堆料以外，還實作了120W單電芯方案，搭載澎湃P1自研充電晶片。
2月8日消息，上海南芯半導體科技釋出說明，表示最近網絡上出現了很多關于小米澎湃P1的不實傳言，傳言與事實完全不符，現做出如下說明：
1、小米澎湃P1晶片為小米自研設計、南芯半導體代工(内部代号SC8561)。這款晶片具備超高壓4:1充電架構，實作了120W單電芯充電，支援1:12:1和4:1轉換模式，所有模式均可雙向導通，可實作有線120W、無線50W、無線反充等多種充電功能。
2、南芯半導體2021年9月釋出的南芯SC8571，為超高壓4:2充電架構，可實作120W雙電芯充電，其針對超大功率充電需求，支援4:22:2兩種模式。
3、小米自研的澎湃P1充電晶片與南芯SC8571拓撲結構完全不同，是不同設計、不同功能、不同定位的兩顆充電晶片。
根據上述回應得知，小米澎湃P1晶片完全是由小米自研設計，然後由南芯半導體代工。
據小米官方介紹，澎湃P1作為業界首個諧振充電晶片，擁有自适應開關頻率的4:1超高效率架構，諧振拓撲效率高達97.5%，非諧振拓撲效率為96.8%，熱損耗直線下降 30%。
同時澎湃P1也是小米充電效率最高的4:1充電晶片，可做到0.83W/mm 超高功率密度，LDMOS也達到業界領先超低1.18mΩmm RSP，每片澎湃P1在出廠時都需要通過2500多項測試，遠高于傳統電荷泵。
