新智元報道
編輯：David 好困
【新智元導讀】近3000頁的「2022美國競争法案」獲美衆議院通過！該法案将劃撥520億美元巨額投資和補貼，支援半導體制造行業，擴大學國晶片工廠的建設。法案背後，直指中國。
當地時間2月4日，美國衆議院以222票贊成、210反對的投票結果通過了《2022美國競争法案》。
該法案全文長達近3000頁，主要内容包括旨在促進美國半導體制造業的大規模投資。
其中包括約520億美元（約合人民币3308億元）對半導體行業的撥款和補貼，以及450億美元（約合人民币2672億元）用于加強高科技産品的供應鍊。試圖進而在全球範圍内「更好地」與中國競争。
行業報告估計，這些投資将使美國能夠在未來10年内建設19個工廠，并讓晶片制造能力翻倍。
此外，該法案還包括為一個幫助開發中國家适應氣候變化的基金提供80億美元；劃撥30億美元用于降低對中國太陽能制造行業的依賴；為幫助失業率明顯高于全國平均水準的社群提供40億美元；以及為各州儲備藥品和醫療裝置提供105億美元。
由于新冠疫情使晶片供應鍊的緊張局勢一直得不到緩解。美國商務部上周釋出了一份報告稱，一些半導體産品的庫存中值已經從2019年的40天下降到2021年的不到5天。而這個問題在未來六個月内都不會解決。
美國商務部長吉娜·雷蒙多在讨論該法案時表示，該法案中「最緊迫的需求」是520億美元用于國内晶片生産，因為全球晶片短缺對包括汽車行業在内的經濟的影響，以及在海外制造如此多半導體對國家安全的影響，已經到了必須要應對的地步。
「我們不能再等了，我們落後太多了。就國家安全而言，我們處于如此危險的境地，在最先進的晶片上嚴重依賴海外。」
雷蒙多的表态可能并不是危言聳聽。
自上世紀90年代以來，美國在全球半導體制造業中的份額從1990年的37%穩步下降到現在的12%左右。此次通過的法案正試圖扭轉這一趨勢，業内官員稱，這個法案的通過的最大推動力實際上可能是外國的競争對手。
不過，美國在晶片設計（52%）和晶片制造裝置（50%）方面仍然領先。中國大陸在這兩方面都落後于美國多年。
法案中的另一項規定将對低價産品征收關稅。目前，美國對價值低于800美元的進口商品不收關稅。而該法案則取消了某些國家和地區的門檻，尤其是中國大陸。
當然，這不是美國在晶片方面的第一次布局。
2021年6月8日，美國國會參議院以68票贊成、32票反對的結果，通過了長達1400多頁《2021美國創新與競争法案》。其中就有用于半導體、晶片和電信領域的540億美金。
該法案在提出獲批後，一年時間裡因為種種原因停滞不前。
而本次獲得通過的《2022美國競争法案》将是去年創新與競争法案的延續。
2500億美元，《2021美國創新與競争法案》高票通過
2021年6月8日，美國參議院以68票贊成、32票反對，壓倒性通過了長達1400多頁《2021美國創新與競争法案》。
這項法案計劃撥款約2500億美元，以應對中國所謂的「科技威脅」。其中大部分支出發生在頭五年。
該法案的核心是向商務部緊急撥款500億美元，用于通過國會先前授權的研究和激勵計劃支援半導體開發和制造。
其中，1900億美元，從總體上加強美國的技術；540億美元，用于半導體、晶片和電信領域。
法案前3部分主要詳細介紹了美國如何在科技領域的布局：
P1：晶片和ORAN 5G緊急撥款
近幾十年，美國半導體和微電子領域的本土制造在全球占比大幅下滑。
美國公司占世界晶片銷售額的48%，但位于美國的工廠隻占世界半導體制造業的12%，低于1990年的37%。而包括中國大陸在内的外國競争者在此領域大量投入并占據主導地位。
為了保持美國在這一領域的競争力，投資520億美元，用于和有關晶片生産、軍事以及其他關鍵行業的相關項目。
另外，15億美元投資電信領域，以加強美國在5G競争中的創新。
法案還專門提到了華為給美國國家安全和全球電信網絡帶來的「無法接受的風險」。
P2 ：《無盡前沿法案》
未來5年投入大約1200億美元，用于包括人工智能、半導體、量子計算、先進通信、生物技術和先進能源在内的關鍵技術領域的基礎和先進研究、商業化、教育和教育訓練項目。
該法案主要涉及了4個立法目标：
在國家科學基金會（National Science Foundation，NSF）設立一個新的技術和創新理事會（DTI，Directorate for Technology and Innovation）
創設區域技術中心
針對經濟安全、科學、研究、創新、制造和就業建立一個戰略報告體系
設立供應鍊韌性和危機應對計劃的項目
P3 ：《2021年戰略競争法案》
這部分法案緻力于讓美國減少對中國供應鍊的依賴，加強美國「半導體」實力，以及在科研領域增加研究經費等。
為應對中國的科技競争，該法案還提出與盟友「共享技術」戰略，包括技術控制和标準，以及關于開發和擷取關鍵技術的戰略。
在相關政策的支援下，英特爾、三星、台積電等晶片企業已經陸續公布了在美國建設晶片工廠的計劃。
英特爾豪擲1000億美元，建世界最大晶片工廠
2022年1月，英特爾表示将投資200億美元建設2家晶片制造工廠，并計劃最終投資1000億美元，共建設8家制造工廠。其中第一座晶圓廠将于2025年上線。
據介紹，200億美元的先期投資是俄亥俄州曆史上最大規模的投資，将在新奧爾巴尼占地1000英畝（約合400公頃）的土地上創造3000個就業機會。
英特爾CEO蓋爾辛格表示，「此舉不僅是為了提高晶片産能，也是為了重振英特爾在晶片制造領域的領先地位。」
英特爾發言人威廉·莫斯表示，「我們的目标是在未來10年投資1000億美元，但如果沒有聯邦政府的支援，這一目标将很難在那段時間内實作。不過，最初的200億美元投資并不依賴聯邦補貼。」
英特爾還将大量資本用于勞動力教育訓練，它計劃10年内花費1億美元用于半導體教育，包括培養高技能人才。
屆時，随着大批高技能人才輸出，英特爾表示，員工的平均年薪将達13.5萬美元（約85.6萬元）。
台積電斥120億美元， 将5nm引入美國
台積電早在2020年就宣布将投入120億美元在亞利桑那州鳳凰城建造一座5納米晶圓廠。
該工廠于2021年正式開工，預計在2024年投産。建成後的計劃産能将達到每月2萬片，并會聘用超過1600名員工
從政治角度講，台積電的建廠計劃對美國來說可能是一個勝利。
時任美國商務部長羅斯（Wilbur Ross）在一份聲明中稱贊了台積電的計劃：「這是台積電、亞利桑那州政府和美國政府之間多年談判的結果。」
此外，據知情人士透露，美國國務院和商務部都參與了相關計劃。
台積電表示，已将2022年的資本支出預算定在400億至440億美元之間，創下曆史高位，2021年的資本支出約為300億美元。
三星170億美元，建3nm晶片廠
三星電子于2021年11月宣布在美國建設半導體代工廠。
據悉，三星将在得克薩斯州泰勒市投入170億美元，建造半導體工廠。2022年開工建設，力争2024年下半年投入運作。有分析認為，該工廠将生産電路線寬為3納米的新一代産品。
這項在得克薩斯州的投資也顯示出擴大晶片生産規模之艱難。工廠造價高，使用的先進工具每件成本可能超過1.5億美元，而且需要多年才能建成。
美國政府的态度對此次三星建設工廠明顯發揮了作用。美國商務部部長吉娜·雷蒙多在聲明中表示歡迎稱，「增加半導體的國内生産，對于美國的經濟安全保障來說非常重要。」
據報道，三星計劃在未來數年内投資超過2050億美元，旨在提振晶片和生物技術産業，其中晶片制造是優先事項。
美國晶片制造業外流，但不是中國大陸
據美國半導體行業協會2020年的統計，在所有美國擁有和經營的晶圓廠中，位于中國大陸的隻占不到2%，在美國半導體行業的全球總産能中僅占5.6%。
雖然有美國公司因為更有吸引力的激勵措施，選擇了在外擴張。但美國半導體制造商44%的晶圓廠産能仍位于本土，其中共有分布在18個州的70座晶圓廠。
而中國大陸的代工廠，如中芯國際，在2019年僅占美國公司全球代工總收入的5.8%。
即便如此，美國為了維持自身的在該領域的壟斷地位，不斷地給創新競争法案加碼，并準許了大量投資。
參考資料：
https://time.com/6145248/house-passes-computer-chip-production-bill/
https://apnews.com/article/technology-business-china-united-states-congress-a6c2366885d82cca4089d3cc09b3acb0
https://www.wsj.com/articles/the-be-more-like-china-act-house-democrats-competition-bill-industrial-policy-11643841005
《2022美國競争法案》：
https://rules.house.gov/bill/117/hr-4521