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日本企業研發7bpc閃存!150℃高溫下資料可儲存10年

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發展大家應該都比較熟悉了,它們代表了每個單元能夠存儲的比特資料,密度越來越高,容量越來越大,當然可靠性、壽命越來越低。

SLC每單元1個比特(1bpc),需要2檔電平;MLC每單元2個比特,需要4檔電平,容量增加100%;TLC每單元3個比特,需要8檔電平,容量增加33%……

以此類推,尚未商用的PLC每單元5個比特,需要32檔電平,而容量隻有SLC的5倍。

日本企業研發7bpc閃存!150℃高溫下資料可儲存10年

現在,日本創業公司Floadia(富提亞科技)居然宣稱他們已經開發出了全新的每單元7個比特(7bpc)的閃存,按照規律需要多達128檔電平,容量則相當于SLC的10倍。

Floadia當然沒有延續NAND閃存的老路,而是開發了全新的非易失性SONOS單元,在矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽(SONOS)布局的基礎上,使用分布式電荷捕獲型結構,中間設定了一層氮化矽薄膜,可以牢牢捕獲電荷,進而長久維持資料穩定性,并且電壓程式設計擦寫循環非常簡單。

其中,氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層使用了二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)材料,後者制造難度非常低。

官方号稱,在極低的電壓偏移下,這種閃存可以維持超過10萬次程式設計擦寫循環,即便是在150℃高溫下,也能持續儲存資料長達10年之久,而現在主流閃存能堅持100秒就不錯了。

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日本企業研發7bpc閃存!150℃高溫下資料可儲存10年

當然,也先别太激動,Floadia這種新閃存的目标市場(至少目前)主要是嵌入式市場,比如正在和東芝合作,利用40nm工藝進行制造,面向各種微控制器。

Floadia成立于2011年4月,創始人是來自日本瑞薩電子的7位工程師,都有近20年的從業經驗,公司已經經曆了三輪融資,其中C輪獲得12億日元(6700萬元人民币)。

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