SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發展大家應該都比較熟悉了，它們代表了每個單元能夠存儲的比特資料，密度越來越高，容量越來越大，當然可靠性、壽命越來越低。
SLC每單元1個比特(1bpc)，需要2檔電平；MLC每單元2個比特，需要4檔電平，容量增加100％；TLC每單元3個比特，需要8檔電平，容量增加33％……
以此類推，尚未商用的PLC每單元5個比特，需要32檔電平，而容量隻有SLC的5倍。
現在，日本創業公司Floadia(富提亞科技)居然宣稱他們已經開發出了全新的每單元7個比特(7bpc)的閃存，按照規律需要多達128檔電平，容量則相當于SLC的10倍。
Floadia當然沒有延續NAND閃存的老路，而是開發了全新的非易失性SONOS單元，在矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽(SONOS)布局的基礎上，使用分布式電荷捕獲型結構，中間設定了一層氮化矽薄膜，可以牢牢捕獲電荷，進而長久維持資料穩定性，并且電壓程式設計擦寫循環非常簡單。
其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層使用了二氧化矽(SiO2)、氮化矽(Si3N4)材料，後者制造難度非常低。
官方号稱，在極低的電壓偏移下，這種閃存可以維持超過10萬次程式設計擦寫循環，即便是在150℃高溫下，也能持續儲存資料長達10年之久，而現在主流閃存能堅持100秒就不錯了。
當然，也先别太激動，Floadia這種新閃存的目标市場(至少目前)主要是嵌入式市場，比如正在和東芝合作，利用40nm工藝進行制造，面向各種微控制器。
Floadia成立于2011年4月，創始人是來自日本瑞薩電子的7位工程師，都有近20年的從業經驗，公司已經經曆了三輪融資，其中C輪獲得12億日元(6700萬元人民币)。