前言
2024年2月25日-29日，国际电力电子应用展览会（APEC）在美国洛杉矶举办，由IEEE-产业应用学会(IAS)、电力电子学会(PELS)，美国电源制造商协会(PSMA) 联合主办，全球知名电力电子企业将汇聚于此，展示电力电子产品和系统领域的最新技术进展和研发成果。
英诺赛科是一家全球领先的8英寸 GaN IDM企业，旨在打造基于高性能硅基氮化镓的低碳、节能的能源生态系统。在国际电力电子应用展览会（APEC）上，英诺赛科携全系列新产品和先进应用方案，以“Fill the World with GaN”为主题，展示了氮化镓在多场景中的魅力。
其中，针对低压氮化镓，英诺赛科推出了几款全新应用，充电头网带你了解一下。
英诺赛科低压氮化镓全新应用方案
BMS 方案搭载100V VGaN
针对 BMS 应用领域，英诺赛科开发了16S/120A BMS 评估板，搭配100V 双向导通VGaN （INV100FQ030A）实现充放电控制与保护。与Si 方案相比，其PCB占板面积及成本降低40%以上。得益于VGaN的器件性能，该方案不仅做到了体积小（65mm*180mm），系统成本低的优势，还实现了最佳散热性能。
其中，INV100FQ030A是一款100V 双向导通器件，可在电池管理系统、双向变换器的高侧负荷开关、电源系统中的开关电路等领域实现高效应用。
英诺赛科产品部Shawn表示：“一颗 VGaN 可以替代两颗共漏连接的背靠背Si MOSFET，实现电池充电和放电双向开关，进一步减小导通电阻，降低损耗。VGaN 器件采用单 Gate 设计，通过控制 Gate到 Drain1/Drain2 的逻辑，实现充电保护可放电、放电保护可充电；同时大幅减少器件数量，缩小占板面积，降低整体系统成本。”
INV100FQ030A采用兼容引脚设计，采用 FCQFN 4x6mm 封装，客户可以根据不同的应用需求进行规格选型。
为便于客户验证和导入，英诺赛科同步提供 BMS 系统解决方案，设计方案涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV100FQ030A 在电池管理系统 (BMS) 中体现出明显优势，具备巨大的市场潜力。
1kW DCDC电源模块搭载100V SolidGaN
为了满足数据中心高功率密度的需求，1kW 48V-12V方案在原边（100V器件）和副边（40V器件）都采用了GaN，同时为了最大限度地提高功率密度并简化电路，100V 器件选用了英诺赛科最新的集成SolidGaN（ISG3201），配合业内领先的磁集成矩阵变压器设计，将开关频率提升至1MHz，整体方案体积仅39mmx26mmx7.5mm， 峰值效率达98.5%。
1000W DCDC电源模块采用了两款 InnoGaN 氮化镓芯片设计而成，分别是ISG3201与INN040LA015A，可实现系统的高功率转换。
SolidGaN ISG3201 是一颗耐压 100V 的半桥氮化镓合封芯片，其内部集成了2颗 100V/3.2mΩ 的增强型 GaN 和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回路和功率回路，显著降低寄生电感和开关尖峰, 进一步提高1000W 48V 电源模块系统的整体性能和可靠性。产品面积（5mmx6.5mm）仅略大于单颗标准 5x6 Si 器件，相对于Si方案的PCB占板面积减小了73%。针对谐振软开关应用，GaN 的软开关FOM 仅为 Si 的45%，这就意味着在高频软开关应用中，100V GaN 的性能更加优越。
同时，该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并支持TTL电平驱动，可由专用控制器或通用MCU进行驱动控制，是数据中心模块电源，电机驱动以及D类功率放大器等48V电源系统的最佳选择。
INN040FQ015A 是一颗耐压 40V 导阻 1.5mΩ 的增强型氮化镓晶体管，采用FCLGA 5*4 封装，体积小巧，同时具备极低栅极电荷和导通电阻，且反向恢复电荷为零，不仅可以降低占板面积，支持1000W DCDC模块的高功率密度设计，更高的开关频率还能为系统提供更高的动态响应，为绿色数据中心赋能。
充电头网总结
在2024年国际电力电子应用展览会（APEC）上，英诺赛科展示了其基于高性能硅基氮化镓的能源生态系统，包括用于电池管理系统的16S/120A BMS评估板，以及针对数据中心高功率密度需求的1000W DCDC电源模块。这些方案和产品通过减少PCB占板面积、降低成本、提升散热性能和效率，体现了氮化镓技术在大小、成本和性能上的优势，适合应用于电池管理、双向变换器、数据中心模块电源等多个领域。