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【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截

作者:愛在七夕時

【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)

本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截面的方法,并應用于靜止蝕刻劑的觀察。觀察結果表明,鋁層的蝕刻量随着時間的推移而增加,但增量減少了。同時,抗蝕劑的寬度增加會導緻橫向蝕刻量增加。數值模拟結果與觀察結果一緻,表明模拟可有效預測蝕刻截面的幾何形狀。此外,還介紹了矽、二氧化矽和氮化矽的濕法刻蝕。

【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截
【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截
【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截
【工藝篇】MEMS制造的基本工藝——刻蝕工藝(濕法)本文研究了半導體晶片制造中鋁層的濕化學刻蝕過程,提出了一種觀察鋁層截
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