台積電3nm和2nm晶片的更多細節：
N3E 性能提升18%，這個之前已經知道。N3E預計23H2量産。N3P是N3E的演進工藝。N3P在同漏電下性能提升接近5%，比較特别的是還有密度提升，2%的optical shrink，結果是晶片密度提升4%。N3P預計24H2量産。
N3X在高電壓下性能比N3P進一步提升5%，但是漏電達到3.5倍。N3X預計2025年量産。
初代N2雖然技術上比較保守，但是比較正常，性能提升10-15%，晶片密度提升大于15%。N2預計2025年量産。
N2P果然有驚喜，引入了backside power delivery，可能會是曆代P提升比較大的一代。N2P預計2026年量産。N2X也得到了确認，HPC的地位目前比較穩固。
