台积电3nm和2nm芯片的更多细节：
N3E 性能提升18%，这个之前已经知道。N3E预计23H2量产。N3P是N3E的演进工艺。N3P在同漏电下性能提升接近5%，比较特别的是还有密度提升，2%的optical shrink，结果是芯片密度提升4%。N3P预计24H2量产。
N3X在高电压下性能比N3P进一步提升5%，但是漏电达到3.5倍。N3X预计2025年量产。
初代N2虽然技术上比较保守，但是比较正常，性能提升10-15%，芯片密度提升大于15%。N2预计2025年量产。
N2P果然有惊喜，引入了backside power delivery，可能会是历代P提升比较大的一代。N2P预计2026年量产。N2X也得到了确认，HPC的地位目前比较稳固。
