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從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化矽SiC器件的未來需求

引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業内确實很火,現在我們結合最新的市場進展,針對其中使用的碳化矽SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。

我們從前一段時間的報道了解到:

目前Tesla的SiC MOSFET隻用在主驅逆變器電力子產品上,共24顆,拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)是以共48顆SiC MOSFET。除此之外,其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等,都可以放上SiC,隻是SiC久缺而未快速導入。

不過,市場估算,循續漸進采用SiC後,平均2輛Tesla的純電動車就需要一片6吋SiC晶圓。當然,這算法未得到Tesla官方證明。

業者分析,單從Tesla可創造的需求來看,2020年如果不是COVID-19(新冠肺炎)帶來銷售及生産等多重變量,Tesla第1季宣稱6月底美國工廠Model 3及Model Y的年産能将達50萬輛,上海廠(Gigafactory 3)計劃年底産能50萬輛,使其總産能規模近100萬輛,也就是說,Tesla一年平均約要50萬片6吋SiC。

而目前全球SiC矽晶圓總年産能約在40萬~60萬片,其實光應付Tesla需求就顯得吃緊。更何況其他車廠也積極跨足電動車,而且不單隻有電動車對SiC有需要,包括5G基建,大電流、大電壓等其他領域電力領域對SiC都有需求。

可見,目前SiC器件的産能嚴重之後于産業的發展。

Model3拆解後可以看到,其SiC器件使用的型号是:ST GK026 (24顆),由于這顆料在網上沒有詳細參數,我們來通過下面專家專業的分析來了解這顆料。

我們先來了解一下逆變器整體結構

從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化矽SiC器件的未來需求
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如上圖所示,PCB隻有一塊,內建了控制、驅動等全部硬體,PCB通過焊接與下面的SiC MOSFET相連,除PCB外的殼體上安裝了膜電容、SiC MOSFET、DC濾波子產品、交直流母排、低壓接插件等。可以說結構一目了然,相比Model S/X的要簡單許多。

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SiC MOSFET及銅排

采用ST的GK026,這是裸片型号,封裝是特斯拉定制的,其他公司買不到。每半橋四個并聯,排列方式如下圖,單個器件的清晰圖檔前面有。可以看到采用了大量雷射焊接的工藝将SiC MOSFET、輸入母排和輸出三相銅排連接配接起來。

從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化矽SiC器件的未來需求
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輸入母排和輸出三相銅排

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SiC MOSFET、PCB和內建銅排的連接配接比較複雜,是個三明治結構,SiC MOSFET在最下,通過一個白色塑膠元件固定在散熱闆上,輸入母排和輸出三相銅排在中間,将MOSFET的D、S級以及正負極連接配接起來,PCB在最上,MOSFET的GS伸出較長焊接在PCB上。中間的白色塑膠元件既起到固定作用,同時也是裝配必不可少的夾具。

通過逆變器參數來分析SiC器件的參數

構成Model3全系列的電機電控有三個版本,分别是147kW、188kW、211kW,分析逆變器參數的鋪墊。345VDC,211kW,永磁同步電機(功率因數稍高)。可以估算出逆變器峰值相電流為715Arms左右,4個SiC MOSFET并聯,平均每個電流178Arms。如果仍采用前代的IGBT,則需要9~10個,從目前掌握的資訊來看,還是用IGBT成本更低,不過以Tesla目前的體量和議價能力,有可能綜合考慮了各方面因素,決定用SiC MOSFET的。如下圖,供應商是ST,官網上查不到這個型号,隻有裸片,封裝是專門為Tesla定制的。

(以上分析來自 知乎@楊逸軒)

從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化矽SiC器件的未來需求

從以上的衆多資訊我們基本可以了解到,Model3中使用的SiC MOSFET器件應該是650V/100A的産品,根據我們目前掌握的一些資料,這種碳化矽器件按照目前的生産工藝,大概的單晶片尺寸是5.8mm*5.8mm,一個6"的碳化矽晶圓,目前大概可以生産出300個良品的裸晶。

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前面的介紹中我們提到:目前Tesla的SiC MOSFET隻用在主驅逆變器電力子產品上,共24顆,拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)是以共48顆SiC MOSFET。除此之外,其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等,都可以放上SiC(将來還會有電動汽車無線充電)。如果一台電動車的關鍵部位全部使用SiC器件,每台這樣規格電動車SiC器件使用到到150顆是完全有可能的,那麼一片6”晶圓是隻能滿足2台車的使用。

這還隻是一家車廠的使用,而碳化矽的應用還有很多場合:

從Tesla特斯拉Model 3拆解來了解碳化矽SiC器件的未來需求
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而我們目前所談到的電動車的應用隻占到碳化矽器件市場的30%左右,目前階段碳化矽(SiC)器件市場估計将以30%以上的複合年增長率(CAGR)上升,預計會從2019年的5億美元上升到2025年的25億多美元。

這麼強勁的市場增長勢頭勢必會帶動第三代半導體産業的迅猛發展,國産器件廠商也不甘落後,目前紛紛投資SiC産業,相信會有很大的發展。

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