多項目晶圓(Multi Project Wafer,MPW)

內建電路的發明是20世紀的偉大成就之一，每年有數十萬種新的內建電路試驗和生産。現在國際上主流的矽片直徑為8英寸，如果在同一矽片上隻試驗一種內建電路，這樣試驗的成本極高。多項目晶片制造是把多種工藝上相容的內建電路制造在同一晶片上，這樣可使昂貴的制版和矽片加工費用由多家分擔(如果同時加工30個項目,則成本僅為原有數的1/30), 進而極大地減少了實驗制造成本, 如下圖所示。美國把這種服務稱為MOSIS（Metal-Oxide-Semiconductor-Implementation Service），法國稱之為CMP（Circuit Multi-Projects）,加拿大的此種服務由CMC（Canadian Microelectronics Corporation）提供。

多項目晶圓(Multi Project Wafer，簡稱MPW)就是将多個使用相同工藝的內建電路設計放在同一晶圓片上流片，制造完成後，每個設計可以得到數十片晶片樣品，這一數量對于原型（Prototype）設計階段的實驗、測試已經足夠。而該次制造費用就由所有參加MPW的項目按照晶片面積分攤，成本僅為單獨進行原型制造成本的5%-10%，極大地降低了産品開發風險、培養內建電路設計人才的門檻和中小內建電路設計企業在起步時的門檻。

出于經濟原因，Foundry更傾向于接受量大的晶圓加工服務，多項目晶圓則為小批量生産提供了有效的途徑。

國家IP核庫MPW服務

北京內建電路設計園MPW服務

上海內建電路MPW服務

北京多項目晶圓加工服務中心