Nature-二維材料的轉移方法 | 微發光二極管μLED
微發光二極管Micro-light-emitting diodes，μLED用于增強和虛拟現實的顯示材料應用，并需要極高的每英寸像素和亮度。然而，基于紅、綠和藍 red, green and blue，RGB微發光二極管µLED的橫向組裝，其傳統制造技術在提高像素密度方面，依然具有局限性。最近，垂直微發光二極管µLED顯示器，試圖通過堆疊獨立式RGB LED膜和自上而下制造，解決這一制造技術的現實困境。不過，堆疊式微發光二極管µLED的橫向尺寸，很難降至最低。
今日，美國麻省理工學院（Massachusetts Institute of Technology）Jiho Shin, Hyunseok Kim, Junseok Jeong，Kwanghun Chung，Jeehwan Kim等，佐治亞理工大學洛林分校Suresh Sundaram，Abdallah Ougazzaden等，在Nature上發文，報道了全彩、垂直堆疊的微發光二極管µLED，實作了迄今為止報道的最高陣列密度（每英寸5,100像素）和最小尺寸（4µm）。
基于二維材料的層轉移技術，通過遠端或範德瓦爾斯外延、力學釋放和堆疊發光二極管LED，随後通過自上向下制造，在二維材料塗覆的襯底上，生長近亞微米厚度的RGB LED。約9µm最小堆疊高度是實作µLED創紀錄最高陣列密度的關鍵因素。還示範了藍色微發光二極管µLED與矽薄膜半導體的垂直內建，用于有源矩陣操作。
該項研究，确立了全彩微發光二極管µLED顯示器的轉移方法制備政策，并有望用于增強現實和虛拟現實，同時也為更廣泛的三維內建裝置，提供了可推廣的平台。
圖1：二維材料的制備和轉移技術two-dimensional materials-based layer transfer，2DLT，實作了垂直堆疊的全彩微發光二極管Micro-light-emitting diodes，µLED。
圖2：二維材料的制備和轉移技術2DLT生産的超薄紅綠藍RGB發光二極管LED膜材料。
圖3：通過特定波長，基于π吸收體防止光緻發光photoluminescence，PL。
圖4：支援二維材料的制備和轉移技術2DLT的全彩垂直超小型微發光二極管µLED。
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本文譯自Nature。
