1. 硬體特性：
【Flash的硬體實作機制】
Flash全名叫做Flash Memory，屬于非易失性儲存設備(Non-volatile Memory Device)，與此相對應的是易失性儲存設備(Volatile Memory Device)。這類裝置，除了Flash，還有其他比較常見的如硬碟，ROM等，
與此相對的，易失性就是斷電了，資料就丢失了，比如大家常用的記憶體，不論是以前的SDRAM，DDR SDRAM，還是現在的DDR2，DDR3等，都是斷電後，資料就沒了。
Flash的内部存儲是MOSFET，裡面有個懸浮門(Floating Gate)，是真正存儲資料的單元。
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金屬-氧化層-半導體-場效半導體，簡稱金氧半場效半導體（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模拟電路與數字電路的場效半導體（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
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在Flash之前，紫外線可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已經采用用Floating Gate存儲資料這一技術了。
圖1.典型的Flash記憶體單元的實體結構
資料在Flash記憶體單元中是的。
存儲電荷的多少，取決于圖中的外部門（external gate）所被施加的電壓，其控制了是向存儲單元中沖入電荷還是使其釋放電荷。
資料的表示，以所存儲的電荷的電壓是否超過一個特定的門檻值Vth來表示。
【SLC和MLC的實作機制】
Nand Flash按照内部存儲資料單元的電壓的不同層次，也就是單個記憶體單元中，是存儲1位資料，還是多位資料，可以分為SLC和MLC：
1. SLC，Single Level Cell:
單個存儲單元，隻存儲一位資料，表示成1或0.
就是上面介紹的，對于資料的表示，單個存儲單元中内部所存儲電荷的電壓，和某個特定的門檻值電壓Vth，相比，如果大于此Vth值，就是表示1，反之，小于Vth，就表示0.
對于nand Flash的資料的寫入1，就是控制External Gate去充電，使得存儲的電荷夠多，超過門檻值Vth，就表示1了。而對于寫入0，就是将其放電，電荷減少到小于Vth，就表示0了。
關于為何Nand Flash不能從0變成1，我的了解是，實體上來說，是可以實作每一位的，從0變成1的，但是實際上，對于實際的實體實作，出于效率的考慮，如果對于，每一個存儲單元都能單獨控制，即，0變成1就是，對每一個存儲單元單獨去充電，所需要的硬體實作就很複雜和昂貴，同時，所進行對塊擦除的操作，也就無法實作之前的，一閃而過的速度了，也就失去了Flash的衆多特性了。
// 也就是放電的思路還是容易些。1->0
2. MLC，Multi Level Cell：
與SLC相對應，就是單個存儲單元，可以存儲多個位，比如2位，4位等。其實作機制，說起來比較簡單，就是，通過控制内部電荷的多少，分成多個門檻值，通過控制裡面的電荷多少，而達到我們所需要的存儲成不同的資料。比如，假設輸入電壓是Vin＝4V（實際沒有這樣的電壓，此處隻是為了舉例友善），那麼，可以設計出2的2次方＝4個門檻值，1/4的Vin＝1V，2/4的Vin＝2V，3/4的Vin＝3V，Vin＝4V，分别表示2位資料00，01，10，11，對于寫入資料，就是充電，通過控制内部的電荷的多少，對應表示不同的資料。
對于讀取，則是通過對應的内部的電流（與Vth成反比），然後通過一系列解碼電路完成讀取，解析出所存儲的資料。這些具體的實體實作，都是有足夠精确的裝置和技術，才能實作精确的資料寫入和讀出的。
單個存儲單元可以存儲2位資料的，稱作2的2次方＝4 Level Cell，而不是2 Level Cell；
同理，對于新出的單個存儲單元可以存儲4位資料的，稱作2的4次方＝16 Level Cell。
【關于如何識别SLC還是MLC】
Nand Flash設計中，有個指令叫做Read ID，讀取ID，意思是讀取晶片的ID，就像大家的身份證一樣，這裡讀取的ID中，是：
讀取好幾個位元組，一般最少是4個，新的晶片，支援5個甚至更多，從這些位元組中，可以解析出很多相關的資訊，比如：
此Nand Flash内部是幾個晶片（chip）所組成的，
每個chip包含了幾片（Plane），
每一片中的頁大小，塊大小，等等。
在這些資訊中，其中有一個，就是識别此flash是SLC還是MLC。下面這個就是最常見的Nand Flash的datasheet中所規定的，第3個位元組，3rd byte，所表示的資訊，其中就有SLC/MLC的識别資訊：
| Description | I/O7 | I/O6 | I/O5 I/O4 | I/O3 I/O2 | I/O1 I/O0 |
| Internal Chip Number | 1 2 4 8 | 0 0 0 1 1 0 1 1 | |||
| Cell Type | 2 Level Cell 4 Level Cell 8 Level Cell 16 Level Cell | 0 0 0 1 1 0 1 1 | |||
| Number of Simultaneously Programmed Pages | 1 2 4 8 | 0 0 0 1 1 0 1 1 | |||
| Interleave Program Between multiple chips | Not Support Support | 1 | |||
| Cache Program | Not Support Support | 1 |
表1.Nand Flash第3個ID的含義
【Nand Flash的實體存儲單元的陣列組織結構】
Nand flash的内部組織結構，此處還是用圖來解釋，比較容易了解：
圖2.Nand Flash實體存儲單元的陣列組織結構
上圖是K9K8G08U0A的datasheet中的描述。
簡單解釋就是:
1.一個nand flash由很多個塊（Block）組成，
塊的大小一般是
-> 128KB，
-> 256KB，
-> 512KB
此處是128KB。
2.每個塊裡面又包含了很多頁（page）。每個頁的大小，
老的nand flash，頁大小是256B，512B，
這類的nand flash被稱作small block，。位址周期隻有4個。
對于現在常見的nand flash多數是2KB，
被稱作big block，對應的發讀寫指令位址，一共5個周期(cycle)，
更新的nand flash是4KB，
塊，也是Nand Flash的擦除操作的基本/最小機關。
3.每一個頁，對應還有一塊區域，叫做空閑區域（spare area）/備援區域（redundant area），而Linux系統中，一般叫做OOB（Out Of Band），這個區域，是最初基于Nand Flash的硬體特性：資料在讀寫時候相對容易錯誤，是以為了保證資料的正确性，必須要有對應的檢測和糾錯機制，此機制被叫做EDC(Error Detection Code)/ECC（Error Code Correction,或者Error Checking and Correcting），是以設計了多餘的區域，用于放置資料的校驗值。
頁, 是Nand Flash的寫入操作的基本/最小的機關。
【Nand Flash資料存儲單元的整體架構】
簡單說就是，常見的nand flash，内部隻有一個chip，每個chip隻有一個plane。
而有些複雜的，容量更大的nand flash，内部有多個chip，每個chip有多個plane。這類的nand flash，往往也有更加進階的功能，比如下面要介紹的Multi Plane Program和Interleave Page Program等。
比如，型号為K9K8G08U0A這個晶片（chip），
内部有:
K9F4G08U0A (256MB) : Plane (1Gb), Plane (1Gb)
K9F4G08U0A (256MB) : Plane (1Gb), Plane (1Gb)
K9WAG08U1A ，内部包含了2個K9K8G08U0A
K9NBG08U5A ，内部包含了4個K9K8G08U0A
【Flash名稱的由來】
Flash的擦除操作是以block塊為機關的，與此相對應的是其他很多儲存設備，是以bit位為最小讀取/寫入的機關，Flash是一次性地擦除整個塊：在發送一個擦除指令後，一次性地将一個block，常見的塊的大小是128KB/256KB。。，全部擦除為1，也就是裡面的内容全部都是0xFF了，由于是一下子就擦除了，相對來說，擦除用的時間很短，可以用一閃而過來形容，是以，叫做Flash Memory。中文有的翻譯為（快速）閃存。
【Flash相對于普通裝置的特殊性】
1. 上面提到過的，Flash最小操作機關，有些特殊。
一般裝置，比如硬碟/記憶體，讀取和寫入都是以bit位為機關，讀取一個bit的值，将某個值寫入對應的位址的位，都是可以按位操作的。
但是Flash由于實體特性，使得内部存儲的資料，隻能從1變成0，這點，可以從前面的内部實作機制了解到，隻是友善統一充電，不友善單獨的存儲單元去放電，是以才說，隻能從1變成0，也就是釋放電荷。
是以，總結一下Flash的特殊性如下：
| 普通裝置(硬碟/記憶體等) | Flash | |
| 讀取/寫入的叫法 | 讀取/寫入 | 讀取/程式設計(Program)① |
| 讀取/寫入的最小機關 | Bit/位 | Page/頁 |
| 擦除(Erase)操作的最小機關 | Bit/位 | Block/塊② |
| 擦除操作的含義 | 将資料删除/全部寫入0 | 将整個塊都擦除成全是1，也就是裡面的資料都是0xFF③ |
| 對于寫操作 | 直接寫即可 | 在寫資料之前，要先擦除，然後再寫 |
表2.Flash和普通裝置相比所具有的特殊性
注：
①之是以将寫操作叫做程式設計，是因為，flash和之前的EPROM，EEPROM繼承發展而來，而之前的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，往裡面寫入資料，就叫做程式設計Program，之是以這麼稱呼，是因為其對資料的寫入，是需要用電去擦除/寫入的，就叫做程式設計。
②對于目前常見的頁大小是2K/4K的Nand Flash，其塊的大小有128KB/256KB/512KB等。而對于Nor Flash，常見的塊大小有64K/32K等。
③在寫資料之前，要先擦除，内部就都變成0xFF了，然後才能寫入資料，也就是将對應位由1變成0。
【Nand Flash引腳(Pin)的說明】
圖3.Nand Flash引腳功能說明
上圖是常見的Nand Flash所擁有的引腳（Pin）所對應的功能，簡單翻譯如下：
1. I/O0 ~ I/O7：用于輸入位址/資料/指令，輸出資料
2. CLE：Command Latch Enable，指令鎖存使能，在輸入指令之前，要先在模式寄存器中，設定CLE使能
3. ALE：Address Latch Enable，位址鎖存使能，在輸入位址之前，要先在模式寄存器中，設定ALE使能
4. CE#：Chip Enable，晶片使能，在操作Nand Flash之前，要先選中此晶片，才能操作
5. RE#：Read Enable，讀使能，在讀取資料之前，要先使CE＃有效。
6. WE#：Write Enable，寫使能,在寫取資料之前，要先使WE＃有效。
7. WP#：Write Protect，寫保護
8. R/B#:Ready/Busy Output,就緒/忙,主要用于在發送完程式設計/擦除指令後,檢測這些操作是否完成,忙,表示程式設計/擦除操作仍在進行中,就緒表示操作完成.
9. Vcc：Power，電源
10. Vss：Ground，接地
11. N.C：Non-Connection,未定義，未連接配接。
[小常識]
在資料手冊中，你常會看到，對于一個引腳定義，有些字母上面帶一橫杠的，那是說明此引腳/信号是低電平有效，比如你上面看到的RE頭上有個橫線，就是說明，此RE是低電平有效，此外，為了書寫友善，在字母後面加“＃”，也是表示低電平有效，比如我上面寫的CE＃；如果字母頭上啥都沒有，就是預設的高電平有效，比如上面的CLE，就是高電平有效。
【為何需要ALE和CLE】
突然想明白了，Nand Flash中,為何設計這麼多的指令,把整個系統搞這麼複雜的原因了:
比如指令鎖存使能(Command Latch Enable,CLE)和位址鎖存使能(Address Latch Enable，ALE)，那是因為，Nand Flash就8個I/O，而且是複用的，也就是，可以傳資料，也可以傳位址，也可以傳指令，為了區分你目前傳入的到底是啥，是以，先要用發一個CLE（或ALE）指令，告訴nand Flash的控制器一聲，我下面要傳的是指令（或位址），這樣，裡面才能根據傳入的内容，進行對應的動作。否則,nand flash内部,怎麼知道你傳入的是資料,還是位址,還是指令啊,也就無法實作正确的操作了.
【Nand Flash隻有8個I/O引腳的好處】
1. 減少外圍引腳：相對于并口(Parellel)的Nor Flash的48或52個引腳來說，的确是大大減小了引腳數目，這樣封裝後的晶片體積，就小很多。現在晶片在向體積更小，功能更強，功耗更低發展，減小晶片體積，就是很大的優勢。同時，減少晶片接口，也意味着使用此晶片的相關的外圍電路會更簡化，避免了繁瑣的硬體連線。
2. 提高系統的可擴充性，因為沒有像其他裝置一樣用實體大小對應的完全數目的addr引腳，在晶片内部換了晶片的大小等的改動，對于用全部的位址addr的引腳，那麼就會引起這些引腳數目的增加，比如容量擴大一倍，位址空間/尋址空間擴大一倍，是以，位址線數目/addr引腳數目，就要多加一個，而對于統一用8個I/O的引腳的Nand Flash，由于對外提供的都是統一的8個引腳，内部的晶片大小的變化或者其他的變化，對于外部使用者(比如編寫nand flash驅動的人)來說，不需要關心，隻是保證新的晶片，還是遵循同樣的接口，同樣的時序，同樣的指令，就可以了。這樣就提高了系統的擴充性。
【Nand flash的一些典型(typical)特性】
1.頁擦除時間是200us，有些慢的有800us。
2.塊擦除時間是1.5ms.
3.頁資料讀取到資料寄存器的時間一般是20us。
4.串行通路（Serial access）讀取一個資料的時間是25ns，而一些舊的nand flash是30ns，甚至是50ns。
5.輸入輸出端口是位址和資料以及指令一起multiplex複用的。
以前老的Nand Flash，程式設計/擦除時間比較短，比如K9G8G08U0M，才5K次，而後來很多6.nand flash的程式設計/擦除的壽命，最多允許的次數，以前的nand flash多數是10K次，也就是1萬次，而現在很多新的nand flash，技術提高了，比如，Micron的MT29F1GxxABB，Numonyx的NAND04G-B2D/NAND08G-BxC，都可以達到100K，也就是10萬次的程式設計/擦除。和之前常見的Nor Flash達到同樣的使用壽命了。
7.48引腳的TSOP1封裝或 52引腳的ULGA封裝
【Nand Flash中的特殊硬體結構】
由于nand flash相對其他常見裝置來說，比較特殊，是以，特殊的裝置，也有特殊的設計，是以，有些特殊的硬體特性，就有比較解釋一下：
1. 頁寄存器（Page Register）：由于Nand Flash讀取和程式設計操作來說，一般最小機關是頁，是以，nand flash在硬體設計時候，就考慮到這一特性，對于每一片，都有一個對應的區域，專門用于存放，将要寫入到實體存儲單元中去的或者剛從存儲單元中讀取出來的，一頁的資料，這個資料緩存區，本質上就是一個buffer，但是隻是名字叫法不同，datasheet裡面叫做Page Register，此處翻譯為頁寄存器，實際了解為頁緩存，更為恰當些。
注意：隻有寫到了這個頁緩存中，隻有等你發了對應的程式設計第二階段的确認指令0x10之後，實際的程式設計動作才開始，才開始把頁緩存中的資料，一點點寫到實體存儲單元中去。
是以，簡單總結一下就是，對于資料的流向，實際是經過了如下步驟：
圖4 Nand Flash讀寫時的資料流向
【Nand Flash中的壞塊(Bad Block)】
Nand Flash中，一個塊中含有1個或多個位是壞的，就成為其為壞塊。
壞塊的穩定性是無法保證的，也就是說，不能保證你寫入的資料是對的，或者寫入對了，讀出來也不一定對的。而正常的塊，肯定是寫入讀出都是正常的。
壞塊有兩種：
（1）一種是出廠的時候，也就是，你買到的新的，還沒用過的Nand Flash，就可以包含了壞塊。此類出廠時就有的壞塊，被稱作factory (masked)bad block或initial bad/invalid block，在出廠之前，就會做對應的标記，标為壞塊。
具體标記的地方是，對于現在常見的頁大小為2K的Nand Flash，是塊中第一個頁的oob起始位置（關于什麼是頁和oob，下面會有詳細解釋）的第1個位元組（舊的小頁面，pagesize是512B甚至256B的nand flash，壞塊标記是第6個位元組），如果不是0xFF，就說明是壞塊。相對應的是，所有正常的塊，好的塊，裡面所有資料都是0xFF的。
（2）第二類叫做在使用過程中産生的，由于使用過程時間長了，在擦塊除的時候，出錯了，說明此塊壞了，也要在程式運作過程中，發現，并且标記成壞塊的。具體标記的位置，和上面一樣。這類塊叫做worn-out bad block。
對于壞塊的管理，在Linux系統中，叫做壞塊管理（BBM，Bad Block Managment），對應的會有一個表去記錄好塊，壞塊的資訊，以及壞塊是出廠就有的，還是後來使用産生的，這個表叫做 壞塊表（BBT，Bad Block Table）。在Linux核心MTD架構下的Nand Flash驅動，和Uboot中Nand Flash驅動中，在加載完驅動之後，如果你沒有加入參數主動要求跳過壞塊掃描的話，那麼都會去主動掃描壞塊，建立必要的BBT的，以備後面壞塊管理所使用。
而關于好塊和壞塊，Nand Flash在出廠的時候，會做出保證：
1.關于好的，可以使用的塊的數目達到一定的數目，比如三星的K9G8G08U0M，整個flash一共有4096個塊，出廠的時候，保證好的塊至少大于3996個，也就是意思是，你新買到這個型号的nand flash，最壞的可能，有3096－3996＝100個壞塊。不過，事實上，現在出廠時的壞塊，比較少，絕大多數，都是使用時間長了，在使用過程中出現的。
2.保證第一個塊是好的，并且一般相對來說比較耐用。做此保證的主要原因是，很多Nand Flash壞塊管理方法中，就是将第一個塊，用來存儲上面提到的BBT，否則，都是出錯幾率一樣的塊，那麼也就不太好管理了，連放BBT的地方，都不好找了，^_^。
一般來說，不同型号的Nand Flash的資料手冊中，也會提到，自己的這個nand flash，最多允許多少個壞塊。就比如上面提到的，三星的K9G8G08U0M，最多有100個壞塊。
對于壞塊的标記，本質上，也隻是對應的flash上的某些位元組的資料是非0xFF而已，是以，隻要是資料，就是可以讀取和寫入的。也就意味着，可以寫入其他值，也就把這個壞塊标記資訊破壞了。對于出廠時的壞塊，一般是不建議将标記好的資訊擦除掉的。
uboot中有個指令是“nand scrub”就可以将塊中所有的内容都擦除了，包括壞塊标記，不論是出廠時的，還是後來使用過程中出現而新标記的。一般來說，不建議用這個。不過，我倒是經常用，其實也沒啥大礙，呵呵。
最好用“nand erase”隻擦除好的塊，對于已經标記壞塊的塊，不擦除。
【nand Flash中頁的通路順序】
在一個塊内，對每一個頁進行程式設計的話，必須是順序的，而不能是随機的。比如，一個塊中有128個頁，那麼你隻能先對page0程式設計，再對page1程式設計，。。。。，而不能随機的，比如先對page3，再page1，page2.，page0，page4，.。。。
【片選無關(CE don’t-care)技術】
很多Nand flash支援一個叫做CE don’t-care的技術，字面意思就是，不關心是否片選，
那有人會問了，如果不片選，那還能對其操作嗎？答案就是，這個技術，主要用在當時是不需要選中晶片卻還可以繼續操作的這些情況：在某些應用，比如錄音，音頻播放等應用，中，外部使用的微秒（us）級的時鐘周期，此處假設是比較少的2us，在進行讀取一頁或者對頁程式設計時，是對Nand Flash操作，這樣的串行（Serial Access）通路的周期都是20/30/50ns，都是納秒（ns）級的，此處假設是50ns，當你已經發了對應的讀或寫的指令之後，接下來隻是需要Nand Flash内部去自己操作，将資料讀取除了或寫入進去到内部的資料寄存器中而已，此處，如果可以把片選取消，CE#是低電平有效，取消片選就是拉高電平，這樣會在下一個外部指令發送過來之前，即微秒量級的時間裡面，即2us－50ns≈2us，這段時間的取消片選，可以降低很少的系統功耗，但是多次的操作，就可以在很大程度上降低整體的功耗了。
總結起來簡單解釋就是：由于某些外部應用的頻率比較低，而Nand Flash内部操作速度比較快，是以具體讀寫操作的大部分時間裡面，都是在等待外部指令的輸入，同時卻選中晶片，産生了多餘的功耗，此“不關心片選”技術，就是在Nand Flash的内部的相對快速的操作（讀或寫）完成之後，就取消片選，以節省系統功耗。待下次外部指令/資料/位址輸入來的時候，再選中晶片，即可正常繼續操作了。這樣，整體上，就可以大大降低系統功耗了。
注:Nand Flash的片選與否，功耗差别會有很大。如果資料沒有記錯的話，我之前遇到我們系統裡面的nand flash的片選，大概有5個mA的電流輸出呢，要知道，整個系統優化之後的待機功耗，也才10個mA左右的。
【帶EDC的拷回操作以及Sector的定義（Copy-Back Operation with EDC & Sector Definition for EDC）】
Copy-Back功能，簡單的說就是，将一個頁的資料，拷貝到另一個頁。
如果沒有Copy-Back功能，那麼正常的做法就是，先要将那個頁的資料拷貝出來放到記憶體的資料buffer中，讀出來之後，再用寫指令将這頁的資料，寫到新的頁裡面。
而Copy-Back功能的好處在于，不需要用到外部的存儲空間，不需要讀出來放到外部的buffer裡面，而是可以直接讀取資料到内部的頁寄存器（page register）然後寫到新的頁裡面去。而且，為了保證資料的正确，要硬體支援EDC（Error Detection Code）的，否則，在資料的拷貝過程中，可能會出現錯誤，并且拷貝次數多了，可能會累積更多錯誤。
而對于錯誤檢測來說，硬體一般支援的是512位元組資料，對應有16位元組用來存放校驗産生的ECC數值，而這512位元組一般叫做一個扇區。對于2K＋64位元組大小的頁來說，按照512位元組分，分别叫做A，B，C，D區，而後面的64位元組的oob區域，按照16位元組一個區，分别叫做E，F，G，H區，對應存放A，B，C，D資料區的ECC的值。
總結：
512+16
2K +64 ： A B C D - E F G H區
Copy-Back程式設計的主要作用在于，去掉了資料串行讀取出來，再串行寫入進去的時間，是以，這部分操作，是比較耗時的，是以此技術可以提高程式設計效率，提高系統整體性能。
【多片同時程式設計(Simultaneously Program Multi Plane)】
對于有些新出的Nand Flash，支援同時對多個片進行程式設計，比如上面提到的三星的K9K8G08U0A，内部包含4片(Plane)，分别叫做Plane0，Plane1，Plane2，Plane3。.由于硬體上，對于每一個Plane，都有對應的大小是2048+64=2112位元組的頁寄存器（Page Register），使得同時支援多個Plane程式設計成為可能。K9K8G08U0A支援同時對2個Plane進行程式設計。不過要注意的是，隻能對Plane0和Plane1或者Plane2和Plane3，同時程式設計，而不支援Plane0和Plane2同時程式設計。
【交錯頁程式設計（Interleave Page Program）】
多片同時程式設計，是針對一個chip裡面的多個Plane來說的，
而此處的交錯頁程式設計，是指對多個chip而言的。
可以先對一個chip，假設叫chip1，裡面的一頁進行程式設計，然後此時，chip1内部就開始将資料一點點寫到頁裡面，就出于忙的狀态了，而此時可以利用這個時間，對出于就緒狀态的chip2，也進行頁程式設計，發送對應的指令後，chip2内部也就開始慢慢的寫資料到存儲單元裡面去了，也出于忙的狀态了。此時，再去檢查chip1，如果程式設計完成了，就可以開始下一頁的程式設計了，然後發完指令後，就讓其内部慢慢的程式設計吧，再去檢查chip2，如果也是程式設計完了，也就可以進行接下來的其他頁的程式設計了。如此，互動操作chip1和chip2，就可以有效地利用時間，使得整體程式設計效率提高近2倍，大大提高nand flash的程式設計/擦寫速度了。
【随機輸出頁内資料（Random Data Output In a Page）】
在介紹此特性之前，先要說說，與Random Data Output In a Page相對應的是，普通的，正常的，sequential data output in a page。
正常情況下，我們讀取資料，都是先發讀指令，然後等待資料從存儲單元到内部的頁資料寄存器中後，我們通過不斷地将RE#(Read Enale，低電平有效)置低，然後從我們開始傳入的列的起始位址，一點點讀出我們要的資料，直到頁的末尾，當然有可能還沒到頁位址的末尾，就不再讀了。所謂的順序（sequential）讀取也就是，根據你之前發送的列位址的起始位址開始，每讀一個位元組的資料出來，内部的資料指針就加1，移到下個位元組的位址，然後你再讀下一個位元組資料，就可以讀出來你要的資料了，直到讀取全部的資料出來為止。
而此處的随機（random）讀取，就是在你正常的順序讀取的過程中，
先發一個随機讀取的開始指令0x05指令，
再傳入你要将内部那個資料指針定位到具體什麼位址，也就是2個cycle的列位址，
然後再發随機讀取結束指令0xE0，
然後，内部那個資料位址指針，就會移動到你所制定的位置了，
你接下來再讀取的資料，就是從那個制定位址開始的資料了。
而nand flash資料手冊裡面也說了，這樣的随機讀取，你可以多次操作，沒限制的。
請注意，上面你所傳入的位址，都是列位址，也就是頁内位址，也就是說，對于頁大小為2K的nand flash來說，所傳入的位址，應該是小于2048+64＝2112的。
不過，實際在nand flash的使用中，好像這種用法很少的。絕大多數，都是順序讀取資料。
【頁程式設計（寫操作）】
Nand flash的寫操作叫做程式設計Program，程式設計，一般情況下，是以頁為機關的。
有的Nand Flash，比如K9K8G08U0A，支援部分頁程式設計，但是有一些限制：在同一個頁内的，連續的部分頁的程式設計，不能超過4次。一般情況下，很少使用到部分頁程式設計，都是以頁為機關進行程式設計操作的。
一個操作，用兩個指令去實作，看起來是多餘，效率不高，但是實際上，有其特殊考慮，
至少對于塊擦除來說，開始的指令0x60是擦除設定指令(erase setup comman)，然後傳入要擦除的塊位址，然後再傳入擦除确認指令（erase confirm command）0xD0，以開始擦除的操作。
這種，分兩步：開始設定，最後确認的指令方式，是為了避免由于外部由于無意的/未預料而産生的噪音，比如，，此時，即使被nand flash誤認為是擦除操作，但是沒有之後的确認操作0xD0，nand flash就不會去擦除資料，這樣使得資料更安全，不會由于噪音而誤操作。
分類: Flash驅動
【讀（read）操作過程詳解】
以最簡單的read操作為例，解釋如何了解時序圖，以及将時序圖中的要求，轉化為代碼。
解釋時序圖之前，讓我們先要搞清楚，我們要做的事情：那就是，要從nand flash的某個頁裡面，讀取我們要的資料。
要實作此功能，會涉及到幾部分的知識，至少很容易想到的就是：需要用到哪些指令，怎麼發這些指令，怎麼計算所需要的位址，怎麼讀取我們要的資料等等。
下面，就一步步的解釋，需要做什麼，以及如何去做：
1.需要使用何種指令
首先，是要了解，對于讀取資料，要用什麼指令。
下面是datasheet中的指令集合：
圖5.Nand Flash K9K8G08U0A的指令集合
很容易看出，我們要讀取資料，要用到Read指令，該指令需要2個周期，第一個周期發0x00，第二個周期發0x30。
2.發送指令前的準備工作以及時序圖各個信号的具體含義
知道了用何指令後，再去了解如何發送這些指令。
[小常識]
在開始解釋前，多羅嗦一下”使能”這個詞，以便有些讀者和我以前一樣，在聽這類雖然對于某些專業人士說是屬于最基本的詞彙了，但是對于初次接觸，或者接觸不多的人來說，聽多了，容易被搞得一頭霧水：使能（Enable），是指使其（某個信号）有效，使其生效的意思，“使其”“能夠”怎麼怎麼樣。。。。比如，上面圖中的CLE線号，是高電平有效，如果此時将其設為高電平，我們就叫做，将CLE使能，也就是使其生效的意思。
圖6.Nand Flash資料讀取操作的時序圖
注：此圖來自三星的型号K9K8G08U0A的nand flash的資料手冊(datasheet)。
我們來一起看看，我在圖6中的特意标注的①邊上的黃色豎線。
黃色豎線所處的時刻，是在發送讀操作的第一個周期的指令0x00之前的那一刻。
讓我們看看，在那一刻，其所穿過好幾行都對應什麼值，以及進一步了解，為何要那個值。
（1）黃色豎線穿過的第一行，是CLE。還記得前面介紹指令所存使能（CLE）那個引腳吧？CLE，将CLE置1，就說明你将要通過I/O複用端口發送進入Nand Flash的，是指令，而不是位址或者其他類型的資料。隻有這樣将CLE置1，使其有效，才能去通知了内部硬體邏輯，你接下來将收到的是指令，内部硬體邏輯，才會将受到的指令，放到指令寄存器中，才能實作後面正确的操作，否則，不去将CLE置1使其有效，硬體會無所适從，不知道你傳入的到底是資料還是指令了。
（2）而第二行，是CE#，那一刻的值是0。這個道理很簡單，你既然要向Nand Flash發指令，那麼先要選中它，是以，要保證CE#為低電平，使其有效，也就是片選有效。
（3）第三行是WE#，意思是寫使能。因為接下來是往nand Flash裡面寫指令，是以，要使得WE#有效，是以設為低電平。
（4）第四行，是ALE是低電平，而ALE是高電平有效，此時意思就是使其無效。而對應地，前面介紹的，使CLE有效，因為将要資料的是指令，而不是位址。如果在其他某些場合，比如接下來的要輸入位址的時候，就要使其有效，而使CLE無效了。
（5）第五行，RE#，此時是高電平，無效。可以看到，知道後面低6階段，才變成低電平，才有效，因為那時候，要發生讀取指令，去讀取資料。
（6）第六行，就是我們重點要介紹的，複用的輸入輸出I/O端口了，此刻，還沒有輸入資料，接下來，在不同的階段，會輸入或輸出不同的資料/位址。
（7）第七行，R/B#,高電平，表示R（Ready）/就緒，因為到了後面的第5階段，硬體内部，在第四階段，接受了外界的讀取指令後，把該頁的資料一點點送到頁寄存器中，這段時間，屬于系統在忙着幹活，屬于忙的階段，是以，R/B#才變成低，表示Busy忙的狀态的。
介紹了時刻①的各個信号的值，以及為何是這個值之後，相信，後面的各個時刻，對應的不同信号的各個值，大家就會自己慢慢分析了，也就容易了解具體的操作順序和原理了。
3.如何計算出，我們要傳入的位址
在介紹具體讀取資料的詳細流程之前，還要做一件事，那就是，先要搞懂我們要通路的位址，以及這些位址，如何分解後，一點點傳入進去，使得硬體能識别才行。
此處還是以K9K8G08U0A為例，此nand flash，一共有8192個塊，每個塊内有64頁，每個頁是2K+64 Bytes，假設，我們要通路其中的第7000個塊中的第25頁中的1208位元組處的位址，此時，我們就要先把具體的位址算出來：
實體位址=塊大小×塊号+頁大小×頁号+頁内位址=7000×128K+64×2K+1208=0x36B204B8,接下來，我們就看看，怎麼才能把這個實際的實體位址，轉化為nand Flash所要求的格式。
在解釋位址組成之前，先要來看看其datasheet中關于位址周期的介紹：
圖7 Nand Flash的位址周期組成
結合圖7和圖5中的2，3階段，我們可以看出，此nand flash位址周期共有5個，2個列(Column)周期，3個行（Row）周期。
而對于對應地，我們可以看出，實際上，
列位址A0~A10，就是頁内位址，位址範圍是從0到2047，而對出的A11，理論上可以表示2048～4095，但是實際上，我們最多也隻用到了2048～2112，用于表示頁内的oob區域，其大小是64位元組。
A12～A30，稱作頁号，頁的号碼，可以定位到具體是哪一個頁。
而其中，A18～A30，表示對應的塊号，即屬于哪個塊。
// 可見：位址的傳輸順序是是 頁内位址，頁号，塊号。 從小到大。
簡單解釋完了位址組成，那麼就很容易分析上面例子中的位址了：
0x36B204B8 = 0011 0110 1011 0010 0000 0100 1011 1000，分别配置設定到5個位址周期就是：
1st 周期，A7～A0 ：1011 1000 = 0x B8
2nd周期，A11～A8 ：0000 0100 = 0x04
3rd周期，A19～A12 ：0010 0000 = 0x20
4th周期，A27～A20 ：0110 1011 = 0x6B
5th周期，A30～A28 ：0000 0011 = 0x03
注意，與圖7中對應的，*L，意思是低電平，由于未用到那些位，datasheet中強制要求設為0，是以，才有上面的2nd周期中的高4位是0000.其他的A30之後的位也是類似原理，都是0。
是以，接下來要介紹的，我們要通路第7000個塊中的第25頁中的1208位元組處的話，所要傳入的位址就是分5個周期，分别傳入兩個列位址的：0xB8，0x04，然後再傳3個行位址的：0x20，0x6B，0x03，這樣硬體才能識别。
4.讀操作過程的解釋
準備工作終于完了，下面就可以開始解釋說明，對于讀操作的，上面圖中标出來的，1-6個階段，具體是什麼含義。
（1） 操作準備階段：此處是讀（Read）操作，是以，先發一個圖5中讀指令的第一個階段的0x00,表示，讓硬體先準備一下，接下來的操作是讀。
（2） 發送兩個周期的列位址。也就是頁内位址，表示，我要從一個頁的什麼位置開始讀取資料。
（3） 接下來再傳入三個行位址。對應的也就是頁号。
（4） 然後再發一個讀操作的第二個周期的指令0x30。接下來，就是硬體内部自己的事情了。
（5） Nand Flash内部硬體邏輯，負責去按照你的要求，根據傳入的位址，找到哪個塊中的哪個頁，然後把整個這一頁的資料，都一點點搬運到頁緩存中去。而在此期間，你所能做的事，也就隻需要去讀取狀态寄存器，看看對應的位的值，也就是R/B#那一位，是1還是0，0的話，就表示，系統是busy，仍在”忙“（着讀取資料），如果是1，就說系統活幹完了，忙清了，已經把整個頁的資料都搬運到頁緩存裡去了，你可以接下來讀取你要的資料了。
對于這裡。估計有人會問了，這一個頁一共2048+64位元組，如果我傳入的頁内位址，就像上面給的1028一類的值，隻是想讀取1028到2011這部分資料，而不是頁開始的0位址整個頁的資料，那麼内部硬體卻讀取整個頁的資料出來，豈不是很浪費嗎？答案是，的确很浪費，效率看起來不高，但是實際就是這麼做的，而且本身讀取整個頁的資料，相對時間并不長，而且讀出來之後，内部資料指針會定位到你剛才所制定的1208的那個位置。
（6） 接下來，就是你“竊取“系統忙了半天之後的勞動成果的時候了，呵呵。通過先去Nand Flash的控制器中的資料寄存器中寫入你要讀取多少個位元組(byte)/字(word)，然後就可以去Nand Flash的控制器的FIFO中，一點點讀取你要的資料了。
至此，整個Nand Flash的讀操作就完成了。
對于其他操作，可以根據我上面的分析，一點點自己去看datasheet，根據裡面的時序圖去分析具體的操作過程，然後對照代碼，會更加清楚具體是如何實作的。
【Flash的類型】
Flash的類型主要分兩種，nand flash和nor flash。
除了網上最流行的這個解釋之外：
NAND和NOR的比較
再多說幾句：
1.nor的成本相對高，具體讀寫資料時候，不容易出錯。總體上，比較适合應用于存儲少量的代碼。
2.Nand flash相對成本低。使用中資料讀寫容易出錯，是以一般都需要有對應的軟體或者硬體的資料校驗算法，統稱為ECC。由于相對來說，容量大，價格便宜，是以适合用來存儲大量的資料。其在嵌入式系統中的作用，相當于PC上的硬碟，用于存儲大量資料。
是以，一個常見的應用組合就是，用小容量的Nor Flash存儲啟動代碼，比如uboot，系統啟動後,初始化對應的硬體，包括SDRAM等，然後将Nand Flash上的Linux 核心讀取到記憶體中，做好該做的事情後，就跳轉到SDRAM中去執行核心了，然後核心解壓（如果是壓縮核心的話，否則就直接運作了）後，開始運作，在Linux核心啟動最後，去Nand Flash上，挂載根檔案，比如jffs2，yaffs2等，挂載完成，運作初始化腳本，啟動consle互動，才運作你通過console和核心互動。至此完成整個系統啟動過程。
而Nor Flash存放的是Uboot，Nand Flash存放的是Linux的核心鏡像和根檔案系統，以及餘下的空間分成一個資料區。
Nor flash，有類似于dram之類的位址總線，是以可以直接和CPU相連，CPU可以直接通過位址總線對nor flash進行通路，而nand flash沒有這類的總線，隻有IO接口，隻能通過IO接口發送指令和位址，對nand flash内部資料進行通路。相比之下，nor flash就像是并行通路，nand flash就是串行通路，是以相對來說，前者的速度更快些。
但是由于實體制程/制造方面的原因，導緻nor 和nand在一些具體操作方面的特性不同：
表3 Nand Flash 和 Nor Flash的差別
1. 理論上是可以的，而且也是有人驗證過可以的，隻不過由于nand flash的實體特性，不能完全保證所讀取的資料/代碼是正确的，實際上，很少這麼用而已。因為，如果真是要用到nand flash做XIP，那麼除了讀出速度慢之外，還要保證有資料的校驗，以保證讀出來的，将要執行的代碼/資料，是正确的。否則，系統很容易就跑飛了。。。
2. 晶片内執行(XIP, eXecute In Place):
http://hi.baidu.com/serial_story/blog/item/adb20a2a3f8ffe3c5243c1df.html
【Nand Flash的種類】
具體再分，又可以分為
1)Bare NAND chips：裸片，單獨的nand 晶片
2)SmartMediaCards： =裸片+一層薄塑膠，常用于數位相機和MP3播放器中。之是以稱smart，是由于其軟體smart，而不是硬體本身有啥smart之處。^_^
3)DiskOnChip：裸片+glue logic，glue logic=硬體ECC産生器+用于靜态的nand 晶片控制的寄存器+直接通路一小片位址視窗，那塊位址中包含了引導代碼的stub樁，其可以從nand flash中拷貝真正的引導代碼。
【spare area/oob】
Nand由于最初硬體設計時候考慮到，額外的錯誤校驗等需要空間，專門對應每個頁，額外設計了叫做spare area空區域，在其他地方，比如jffs2檔案系統中，也叫做oob（out of band）資料。
其具體用途，總結起來有：
1. 标記是否是壞快
2. 存儲ECC資料
3. 存儲一些和檔案系統相關的資料，如jffs2就會用到這些空間存儲一些特定資訊，yaffs2檔案系統，會在oob中，存放很多和自己檔案系統相關的資訊。
【記憶體技術裝置，MTD（Memory Technology Device）】
MTD，是Linux的儲存設備中的一個子系統。其設計此系統的目的是，對于記憶體類的裝置，提供一個抽象層，一個接口，使得對于硬體驅動設計者來說，可以盡量少的去關心存儲格式，比如FTL，FFS2等，而隻需要去提供最簡單的底層硬體裝置的讀/寫/擦除函數就可以了。而對于資料對于上層使用者來說是如何表示的，硬體驅動設計者可以不關心，而MTD儲存設備子系統都幫你做好了。
對于MTD字系統的好處，簡單解釋就是，他幫助你實作了，很多對于以前或者其他系統來說，本來也是你驅動設計者要去實作的很多功能。換句話說，有了MTD，使得你設計Nand Flash的驅動，所要做的事情，要少很多很多，因為大部分工作，都由MTD幫你做好了。
當然，這個好處的一個“副作用”就是，使得我們不了解的人去了解整個Linux驅動架構，以及MTD，變得更加複雜。但是，總的說，覺得是利遠遠大于弊，否則，就不僅需要你了解，而且還是做更多的工作，實作更多的功能了。
此外，還有一個重要的原因，那就是，前面提到的nand flash和普通硬碟等裝置的特殊性：
有限的通過出複用來實作輸入輸出指令和位址/資料等的IO接口，最小機關是頁而不是常見的bit，寫前需擦除等，導緻了這類裝置，不能像平常對待硬碟等操作一樣去操作，隻能采取一些特殊方法，這就誕生了MTD裝置的統一抽象層。
MTD，将nand flash，nor flash和其他類型的flash等裝置，統一抽象成MTD裝置來管理，根據這些裝置的特點，上層實作了常見的操作函數封裝，底層具體的内部實作，就需要驅動設計者自己來實作了。具體的内部硬體裝置的讀/寫/擦除函數，那就是你必須實作的了。
表4.MTD裝置和硬碟裝置之間的差別
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多說一句，關于MTD更多的内容，感興趣的，去附錄中的MTD的首頁去看。
關于mtd裝置驅動，感興趣的可以去參考
MTD原始裝置與FLASH硬體驅動的對話
MTD原始裝置與FLASH硬體驅動的對話-續
那裡，算是比較詳細地介紹了整個流程，友善大家了解整個mtd架構和nand flash驅動。
【Nand flash驅動工作原理】
在介紹具體如何寫Nand Flash驅動之前，我們先要了解，大概的，整個系統，和Nand Flash相關的部分的驅動工作流程，這樣，對于後面的驅動實作，才能更加清楚機制，才更容易實作，否則就是，即使寫完了代碼，也還是沒搞懂系統是如何工作的了。
讓我們以最常見的，Linux核心中已經有的三星的Nand Flash驅動，來解釋Nand Flash驅動具體流程和原理。
此處是參考2.6.29版本的Linux源碼中的\drivers\mtd\nand\s3c2410.c，以2410為例。
1. 在nand flash驅動加載後，第一步，調用對應的init函數 ---- s3c2410_nand_init: 去将nand flash驅動注冊到Linux驅動架構中。
2. 驅動本身真正的開始，是從probe函數： s3c2410_nand_probe->s3c24xx_nand_probe,
在probe過程中：
clk_enable //打開nand flash控制器的clock時鐘，
request_mem_region //去申請驅動所需要的一些記憶體等相關資源。
s3c2410_nand_inithw //去初始化硬體相關的部分，主要是關于時鐘頻率的計算，以及啟用nand flash控制器，使得硬體初始化好了，後面才能正常工作。
3. 需要多解釋一下的，是這部分代碼：
for (setno = 0; setno < nr_sets; setno++, nmtd++) {
pr_debug("initialising set %d (%p, info %p)\n", setno, nmtd, info);
s3c2410_nand_init_chip(info, nmtd, sets);
nmtd->scan_res = nand_scan_ident(&nmtd->mtd, (sets) ? sets->nr_chips : 1);
if (nmtd->scan_res == 0) {
s3c2410_nand_update_chip(info, nmtd);
nand_scan_tail(&nmtd->mtd);
s3c2410_nand_add_partition(info, nmtd, sets);
}
if (sets != NULL)
sets++;
}
4. 等所有的參數都計算好了，函數都挂載完畢，系統就可以正常工作了。
上層通路你的nand falsh中的資料的時候，通過MTD層，一層層調用，最後調用到你所實作的那些底層通路硬體資料/緩存的函數中。
【Linux下nand flash驅動編寫步驟簡介】
關于上面提到的，在nand_scan_tail的時候，系統會根據你的驅動，如果沒有實作一些函數的話，那麼就用系統預設的。如果實作了自己的函數，就用你的。
"那麼到底我要實作哪些函數呢，而又有哪些是可以不實作，用系統預設的就可以了呢。"
此問題的，就是我們下面要介紹的，也就是，你要實作的，你的驅動最少要做哪些工作，才能使整個nand flash工作起來。
1. 對于驅動架構部分
其實，要了解，關于驅動架構部分，你所要做的事情的話，隻要看看三星的整個nand flash驅動中的這個結構體，就差不多了：
static struct platform_driver s3c2410_nand_driver = {
.probe = s3c2410_nand_probe,
.remove = s3c2410_nand_remove,
.suspend = s3c24xx_nand_suspend,
.resume = s3c24xx_nand_resume,
.driver = {
.name = "s3c2410-nand",
.owner = THIS_MODULE,
},
};
對于上面這個結構體，沒多少要解釋的。從名字，就能看出來：
（1）probe就是系統“探測”，就是前面解釋的整個過程，這個過程中的多數步驟，都是和你自己的nand flash相關的，尤其是那些硬體初始化部分，是你必須要自己實作的。
（2）remove，就是和probe對應的，“反初始化”相關的動作。主要是釋放系統相關資源和關閉硬體的時鐘等常見操作了。
（3）suspend和resume，對于很多沒用到電源管理的情況下，至少對于我們剛開始寫基本的驅動的時候，可以不用關心，放個空函數即可。
2. 對于nand flash底層操作實作部分
而對于底層硬體操作的有些函數，總體上說，都可以在上面提到的s3c2410_nand_init_chip中找到：
static void s3c2410_nand_init_chip(struct s3c2410_nand_info *info,
struct s3c2410_nand_mtd *nmtd, //主要是完善該結構體
struct s3c2410_nand_set *set)
{
struct nand_chip *chip = &nmtd->chip;
void __iomem *regs = info->regs;
chip->write_buf = s3c2410_nand_write_buf;
chip->read_buf = s3c2410_nand_read_buf;
chip->select_chip = s3c2410_nand_select_chip;
chip->chip_delay = 50;
chip->priv = nmtd;
chip->options = 0;
chip->controller = &info->controller;
switch (info->cpu_type) {
case TYPE_S3C2410:
chip->IO_ADDR_W = regs + S3C2410_NFDATA;
info->sel_reg = regs + S3C2410_NFCONF;
info->sel_bit = S3C2410_NFCONF_nFCE;
chip->cmd_ctrl = s3c2410_nand_hwcontrol;
chip->dev_ready = s3c2410_nand_devready;
break;
。。。。。。
}
chip->IO_ADDR_R = chip->IO_ADDR_W;
nmtd->info = info;
nmtd->mtd.priv = chip;
nmtd->mtd.owner = THIS_MODULE;
nmtd->set = set;
if (hardware_ecc) {
chip->ecc.calculate = s3c2410_nand_calculate_ecc;
chip->ecc.correct = s3c2410_nand_correct_data;
chip->ecc.mode = NAND_ECC_HW; //設定成了硬體方式校驗ecc
switch (info->cpu_type) {
case TYPE_S3C2410:
chip->ecc.hwctl = s3c2410_nand_enable_hwecc;
chip->ecc.calculate = s3c2410_nand_calculate_ecc;
break;
。。。。。
}
} else {
chip->ecc.mode = NAND_ECC_SOFT; //也就是說，怎麼搞也得校驗了
}
if (set->ecc_layout != NULL)
chip->ecc.layout = set->ecc_layout;
if (set->disable_ecc)
chip->ecc.mode = NAND_ECC_NONE;
}
而我們要實作的底層函數，也就是上面藍色标出來的一些函數而已：
（1）s3c2410_nand_write_buf和 s3c2410_nand_read_buf：這是兩個最基本的操作函數，其功能，就是往你的nand flash的控制器中的FIFO讀寫資料。一般情況下，是MTD上層的操作，比如要讀取一頁的資料，那麼在發送完相關的讀指令和等待時間之後，就會調用到你底層的read_buf，去nand Flash的FIFO中，一點點把我們要的資料，讀取出來，放到我們制定的記憶體的緩存中去。寫操作也是類似，将我們記憶體中的資料，寫到Nand Flash的FIFO中去。
（2）s3c2410_nand_select_chip ： 實作Nand Flash的片選。
（3）s3c2410_nand_hwcontrol： 給底層發送指令或位址，或者設定具體操作的模式，都是通過此函數。
（4）s3c2410_nand_devready： Nand Flash的一些操作，比如讀一頁資料，寫入（程式設計）一頁資料，擦除一個塊，都是需要一定時間的，在指令發送完成後，就是硬體開始忙着工作的時候了，而硬體什麼時候完成這些操作，什麼時候不忙了，變就緒了，就是通過這個函數去檢查狀态的。一般具體實作都是去讀硬體的一個狀态寄存器，其中某一位是否是1，對應着是出于“就緒/不忙”還是“忙”的狀态。這個寄存器，也就是我們前面分析時序圖中的R/B#。
（5）s3c2410_nand_calculate_ecc：如果是上面提到的硬體ECC的話，就不用我們用軟體去實作校驗算法了，而是直接去讀取硬體産生的ECC數值就可以了。
（6）s3c2410_nand_correct_data： 當實際操作過程中，讀取出來的資料所對應的硬體或軟體計算出來的ECC，和從oob中讀出來的ECC不一樣的時候，就是說明資料有誤了，就需要調用此函數去糾正錯誤。對于現在SLC常見的ECC算法來說，可以發現2位，糾正1位。如果錯誤大于1位，那麼就無法糾正回來了。一般情況下，出錯超過1位的，好像幾率不大。至少我看到的不是很大。更複雜的情況和更加注重資料安全的情況下，一般是需要另外實作更高效和檢錯和糾錯能力更強的ECC算法的。
（7）s3c2410_nand_enable_hwecc： 在硬體支援的前提下，前面設定了硬體ECC的話，要實作這個函數，用于每次在讀寫操作前，通過設定對應的硬體寄存器的某些位，使得啟用硬體ECC，這樣在讀寫操作完成後，就可以去讀取硬體校驗産生出來的ECC數值了。
當然，除了這些你必須實作的函數之外，在你更加熟悉整個架構之後，你可以根據你自己的nand flash的特點，去實作其他一些原先用系統預設但是效率不高的函數，而用自己的更高效率的函數替代他們，以提升你的nand flash的整體性能和效率。
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