ASML依靠獨有的EUV光刻機賺得盆滿缽滿，曾經晶片企業排隊搶購EUV光刻機，然而如今全球市場卻出現一股風潮，那就是繞開EUV光刻機，這讓ASML後悔不疊。
首先是ASML跪舔的美國抛棄了它。美國晶片企業美光表示繞開EUV光刻機研發的10nm級别的1β工藝提升了存儲密度30%，而功耗降低了20%，更重要的是成本大幅下降，這主要是因為EUV光刻機比美光現在采用的EUV光刻機貴了2-3倍。
其次是美國光刻機企業Zyvex公司研發電子束光刻機，繞開了ASML的EUV光刻機，并且将先進工藝提升到0.768納米，打破了ASML尚未量産的第二代EUV光刻機的極限，如此一來美國晶片企業未來很可能不再采購ASML的EUV光刻機。
再次是财大氣粗的台積電也一反常态不在搶購EUV光刻機，台積電當下的先進工藝制程産能過剩，而客戶由于全球晶片行業衰退而轉向選擇成熟工藝，為了增強競争優勢，台積電建立“3D Fabric”聯盟，以3D封裝技術提高成熟工藝的性能降低成本。
日本晶片行業早已繞開EUV光刻機開發了NIL工藝，據悉日本的NIL工藝已先後打破10nm、5nm，NIL工藝的成本比EUV光刻機工藝降低六成，這對于ASML同樣是重大打擊，日本晶片裝置行業曾經領先ASML，如今日本在先進工藝技術方面繞開EUV光刻機将重振晶片裝置産業，日本或許為了重振晶片裝置産業而對海外銷售更将成為壓倒ASML的最後一根稻草。
面對中國台灣、美國和日本的晶片企業做出的選擇，ASML似乎還頗為硬氣，近期宣布将在未來兩年大舉擴張EUV光刻機和DUV光刻機的産能，業界人士認為ASML此舉可能是計劃在未來對中國出售光刻機。
然而由于ASML遲遲沒有做出對中國銷售光刻機的決定，中國已失去耐心。早前中國招标28台光刻機的時候，其中21台給了日本光刻機企業，7台給了中國大陸的企業；中國的晶片封測企業已在封裝技術方面推出了5nm芯粒技術，還在量子晶片、光子晶片等技術方面取得突破，顯示出中國正在決意繞開ASML的EUV光刻機。
随着中國這個ASML期待的最後市場的轉肽，ASML正陷入窘境，這一切都與ASML跪舔美國有關。此前美國提出的每項舉措，ASML都迅速緊緊跟随，美國要求ASML不得對中國出售EUV光刻機，ASML在收取了中芯國際1.2億美元貨款後延遲了4年都未傳遞，今年美國又要求ASML不得對中國出售14nm以下的DUV光刻機，ASML照單全收。
然而如今卻是美國率先背叛ASML，然後日本再施加壓力，台積電等無力大規模采購EUV光刻機，最終導緻了ASML陷入如今的窘境，可以說ASML如今的結果完全是它咎由自取。
事實已經證明了先進工藝已不僅隻有EUV這個ASML的獨門武器，研發先進工藝有了更多途徑，ASML擷取厚利的EUV光刻機因為成本昂貴而被抛棄，如果沒有了EUV光刻機帶來的厚利，ASML将再度回到20年前艱難求生的日子，對此它或許已經後悔不疊了吧？
