DRAM工藝與邏輯工藝一樣，在20nm節點開始漸漸陷入難以制造的問題。三星作為全球的DRAM一哥，一直走在技術研發的前列，但在面對新一代DRAM技術的研發上陷入困境，近期甚至有報道稱三星的13nm 工藝DRAM已宣告失利。

三星13nm記憶體研發失敗

4月14日，據報道，三星已經中斷了12-13nm工藝級别記憶體研發，表示三星13nm級别的記憶體被間接承認失敗。

據悉，與邏輯工藝一樣，記憶體晶片工藝在進入20nm節點之後也陷入了難以制造的境地，三星作為全球記憶體一哥雖然走在了技術開發的前列，但是在新一代記憶體研發上也面臨困難，最新消息稱13nm工藝的記憶體已經宣告失利。

簡單說下，記憶體工藝在20nm節點之後就有不同斷代方法，之前用的是1x、1y、1z，後來又有了1a、1b、1c工藝，不過三星、SK海力士及美光三大記憶體巨頭的實際工藝也不完全是這樣，有時公布的還是數字+nm命名的，反正記憶體工藝命名是有些混亂的。

總體來說，三星在DRAM工藝上是最先進的，2020年率先研發成功1z工藝記憶體，大概是15nm級别的，2021年又宣告研發成功1a工藝記憶體，也就是14nm工藝的，還首次使用了EUV光刻工藝。

再往下就是1b工藝了，大概是12-13nm級别，三星去年宣布成立專門的研發團隊攻克1b工藝記憶體，然而最新消息稱三星已經中斷了研發，13nm級别的記憶體被間接承認失敗。

記憶體工藝在14nm之後是否就此停滞？現在還不好說，三星也表示會對研究方向進行探讨，我們現在能知道的就是14nm之後的研發會很難，哪怕突破1nm工藝，2年時間都沒搞定。

三星14nm DRAM

去年10月，三星宣布已開始量産基于極紫外光（EUV）技術的14納米（nm）DRAM。繼前年3月三星推出首款EUV DRAM後，又将EUV層數增加至5層，為其DDR5解決方案提供當下更為優質、先進的DRAM工藝。

如今，三星正通過多層EUV技術，樹立了一座新的技術裡程碑，實作了更加微型化的14納米工藝，而這也是傳統氟化氩（ArF）工藝無法做到的。在此基礎上，三星将繼續提供極具差異化的記憶體解決方案，充分滿足5G、人工智能和元宇宙等資料驅動的時代對更高性能和更大容量的需求。

随着DRAM工藝不斷縮小至10納米範圍，EUV技術變得越來越重要，因為它能提升圖案準确性，進而獲得更高性能和更大産量。通過在14納米DRAM中應用5個EUV層，三星實作了自身最高的機關容量，同時，整體晶圓生産率提升了約20%。此外，與上一代DRAM工藝相比，14納米工藝可幫助降低近20%的功耗。

根據最新DDR5标準，三星的14納米DRAM将有助于釋放出之前産品所未有的速度：高達7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快兩倍多。

三星計劃擴充其14納米DDR5産品組合，以支援資料中心、超級計算機和企業伺服器應用。另外，三星預計将其14納米DRAM晶片容量提升至24Gb，以更好滿足全球IT系統快速增長的資料需求。