DRAM工艺与逻辑工艺一样，在20nm节点开始渐渐陷入难以制造的问题。三星作为全球的DRAM一哥，一直走在技术研发的前列，但在面对新一代DRAM技术的研发上陷入困境，近期甚至有报道称三星的13nm 工艺DRAM已宣告失利。

三星13nm内存研发失败

4月14日，据报道，三星已经中断了12-13nm工艺级别内存研发，表示三星13nm级别的内存被间接承认失败。

据悉，与逻辑工艺一样，内存芯片工艺在进入20nm节点之后也陷入了难以制造的境地，三星作为全球内存一哥虽然走在了技术开发的前列，但是在新一代内存研发上也面临困难，最新消息称13nm工艺的内存已经宣告失利。

简单说下，内存工艺在20nm节点之后就有不同断代方法，之前用的是1x、1y、1z，后来又有了1a、1b、1c工艺，不过三星、SK海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字+nm命名的，反正内存工艺命名是有些混乱的。

总体来说，三星在DRAM工艺上是最先进的，2020年率先研发成功1z工艺内存，大概是15nm级别的，2021年又宣告研发成功1a工艺内存，也就是14nm工艺的，还首次使用了EUV光刻工艺。

再往下就是1b工艺了，大概是12-13nm级别，三星去年宣布成立专门的研发团队攻克1b工艺内存，然而最新消息称三星已经中断了研发，13nm级别的内存被间接承认失败。

内存工艺在14nm之后是否就此停滞？现在还不好说，三星也表示会对研究方向进行探讨，我们现在能知道的就是14nm之后的研发会很难，哪怕突破1nm工艺，2年时间都没搞定。

三星14nm DRAM

去年10月，三星宣布已开始量产基于极紫外光（EUV）技术的14纳米（nm）DRAM。继前年3月三星推出首款EUV DRAM后，又将EUV层数增加至5层，为其DDR5解决方案提供当下更为优质、先进的DRAM工艺。

如今，三星正通过多层EUV技术，树立了一座新的技术里程碑，实现了更加微型化的14纳米工艺，而这也是传统氟化氩（ArF）工艺无法做到的。在此基础上，三星将继续提供极具差异化的内存解决方案，充分满足5G、人工智能和元宇宙等数据驱动的时代对更高性能和更大容量的需求。

随着DRAM工艺不断缩小至10纳米范围，EUV技术变得越来越重要，因为它能提升图案准确性，从而获得更高性能和更大产量。通过在14纳米DRAM中应用5个EUV层，三星实现了自身最高的单位容量，同时，整体晶圆生产率提升了约20%。此外，与上一代DRAM工艺相比，14纳米工艺可帮助降低近20%的功耗。

根据最新DDR5标准，三星的14纳米DRAM将有助于释放出之前产品所未有的速度：高达7.2Gbps，比DDR4的3.2Gbps快两倍多。

三星计划扩展其14纳米DDR5产品组合，以支持数据中心、超级计算机和企业服务器应用。另外，三星预计将其14纳米DRAM芯片容量提升至24Gb，以更好满足全球IT系统快速增长的数据需求。