摘要：3月22日消息，據台灣媒體報道，國産DRAM晶片廠商合肥長鑫存儲将在今年二季度試産17nm工藝的DRAM記憶體晶片，并尋求擴大産能。
3月22日消息，據台灣媒體報道，國産DRAM晶片廠商合肥長鑫存儲将在今年二季度試産17nm工藝的DDR5記憶體晶片，并尋求擴大産能。
報道稱，目前合肥長鑫的17nm工藝DDR5記憶體晶片良率已經達到了40%，預計在今年二季度試産，出樣片給到客戶。雖然目前40%的良率較低，不過長鑫存儲将會在接下來的時間裡持續改進良率。
根據此前長鑫存儲公布的路線圖也顯示，長鑫存儲目前正計劃推出17nm DDR5/LPDDR5，後續還将推出10nm制程的産品。
此外，在産能方面，此前長鑫存儲在2020年、2021年分别實作了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的産能目标。2022年的産能目标是12萬片晶圓/月，未來的産能目标是30萬片晶圓/月。
根據TrendForce預測，2021年底全球記憶體産能将達到150萬晶圓/月，三星産能超過55.5萬晶圓/月，SK海力士是36萬片晶圓/月，美光也有35.5萬晶圓/月。顯然，目前長鑫存儲在DRAM晶片産能上與一線的大廠仍有非常大的差距。
此外，在技術水準上，三星已經量産了14nm EUV工藝的LPDDR5記憶體，長鑫存儲的17nm工藝DDR5/LPDDR5記憶體晶片與其還有一兩代的技術差距，不過這并不算什麼大問題，國産記憶體的主要目标依然是提高良率，加快産能提升。
資料顯示，長鑫存儲作為一體化存儲器制造商，專業從事動态随機存取存儲晶片(DRAM)的設計、研發、生産和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投産，2018年研發國内首個8Gb DDR4晶片，2019年三季度成功量産19nm工藝的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X晶片，目前已經獲得了威剛科技、江波龍FORESEE等衆多存儲品牌廠商的采用。
編輯：芯智訊-浪客劍