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吳越半導體GaN晶體出片,全球首例厚度突破1厘米

摘要: 12月15日,吳越半導體GaN晶體出片儀式在高新區舉行。副市長高亞光等出席儀式。

吳越半導體GaN晶體出片,全球首例厚度突破1厘米

12月15日,吳越半導體GaN晶體出片儀式在高新區舉行。副市長高亞光等出席儀式。

無錫吳越半導體有限公司成立于2019年,是無錫先導內建電路裝備材料産業園首個落戶的項目,公司專注于氮化镓自支撐襯底的開發、生産和銷售。儀式上,吳越半導體展出了全球範圍内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶體。

2020年2月,吳越半導體、先導集團與高新區管委會簽訂合作協定,在無錫高新區實施2-6英寸氮化镓自支撐單晶襯底産業化項目,項目建成投産後,可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化镓原材料領域的空白。

吳越半導體GaN晶體出片,全球首例厚度突破1厘米

儀式上,吳越半導體還與君聯資本、新投集團簽署A輪融資戰略架構協定。

來源:無錫高新區線上

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