三星宣布量产64层V-NAND闪存芯片： 传输速度达1Gbps

6月15日消息，三星电子今天宣布，已经开始批量生产64层256gb v-nand闪存芯片，该闪存芯片将用于服务器，pc和移动设备。

三星在今年一月份开始为主要it客户生产基于64层256gb v-nand芯片的业界首款ssd，64层v-nand芯片也被认为是第四代v-nand芯片，数据传输速度达1gbps，具有业界最短的500微秒（ ）的烧录器烧录单个芯片的时间（tprog），比典型的10纳米（nm）级的平面nand闪存快约四倍，比三星最快的48层3位256gb v-nand闪存的速度快了约1.5倍。

三星表示，与之前的48层256gb v-nand相比，新的64层256gb 3-bit v-nand提供了超过30%的生产率增益。此外，64层v-nand的电路具有2.5v输入电压，与使用48层v-nand的3.3伏相比，能量效率提高了约30%。此外，新的v-nand电池的可靠性与前代相比也增加了约20%。

三星还表示，基于其64层v-nand的成功，三星未来还将通过堆叠超过90层的单元阵列，以生产具有1tb以上容量的v-nand芯片。

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