三星宣布量産64層V-NAND閃存晶片： 傳輸速度達1Gbps

6月15日消息，三星電子今天宣布，已經開始批量生産64層256gb v-nand閃存晶片，該閃存晶片将用于伺服器，pc和移動裝置。

三星在今年一月份開始為主要it客戶生産基于64層256gb v-nand晶片的業界首款ssd，64層v-nand晶片也被認為是第四代v-nand晶片，資料傳輸速度達1gbps，具有業界最短的500微秒（ ）的燒錄器燒錄單個晶片的時間（tprog），比典型的10納米（nm）級的平面nand閃存快約四倍，比三星最快的48層3位256gb v-nand閃存的速度快了約1.5倍。

三星表示，與之前的48層256gb v-nand相比，新的64層256gb 3-bit v-nand提供了超過30%的生産率增益。此外，64層v-nand的電路具有2.5v輸入電壓，與使用48層v-nand的3.3伏相比，能量效率提高了約30%。此外，新的v-nand電池的可靠性與前代相比也增加了約20%。

三星還表示，基于其64層v-nand的成功，三星未來還将通過堆疊超過90層的單元陣列，以生産具有1tb以上容量的v-nand晶片。

本文轉自d1net（轉載）