高性能三卤化物钙钛矿-硅叠层太阳能电池的界面工程
钙钛矿-硅叠层太阳能电池的稳定性和效率，将需要减少非辐射复合recombination损失。
今日，德国 柏林亥姆霍兹材料与能源中心(Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie GmbH) Silvia Mariotti，Eike Köhnen，Steve Albrecht等，在Science上发文，将三卤化物钙钛矿（1.68电子伏特带隙）与碘化哌嗪界面修饰相结合，改善了能带排列，减少了非辐射复合损失，并增强了电子选择性接触的电荷提取。
在p-I-n单结中，太阳能电池表现出高达1.28伏特的开路电压，在钙钛矿-硅叠层太阳能电池中，表现出高达2.00伏特的开路电压。串联电池实现了高达32.5%的认证功率转换效率。
Interface engineering for high-performance, triple-halide perovskite–silicon tandem solar cells。
图1 表面处理和电荷传输层，对三卤化物triple-halide，3Hal钙钛矿薄膜电子性质的影响。
图2 三卤化物3Hal薄膜的特性及表面处理，对单结太阳电池性能的影响
图3. 钙钛矿型硅叠层太阳能电池的优化性能。
在串联太阳能电池中，钙钛矿层和硅电池之间的界面修正，用以提高性能。研究1表明，基于产生正偶极子，离子液体碘化哌嗪改善了三卤化物钙钛矿和C60电子传输层界面的能带排列，并增强了电荷提取，从而在硅叠层电池中实现了2.0伏的开路电压。
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DOI: 10.1126/science.adf5872
