双端口存储器
1.双端口存储器的逻辑结构
双端口存储器是指同一个存储器具有两组相互独立的读写控制线路，是一种高速工作存储器；它提供了两个相互独立的端口，即左端口右端扣。他们分别具有各自的地址线、数据线和控制线，可以对存储器中任何位置上的数据进行独立的存取操作。可以实现一个存储器挂2个CPU
2.无冲突读写控制
当两个端口地址不相同时，在两个端口上进行读写操作，一定不会发生冲突。当任一端口被选中驱动时，就可以对整个存储器进行存取，每一个端口都有自己的片选控制和输出驱动控制
3.有冲突的读写控制
当两个端口同时存取存储器同一存储单元时，便发生冲突。为解决此问题，特设置了BUSY标志。
多模块交叉存储器
（将一个模块看做一个芯片）
存储器模块化组织的两种安排方式：一种是顺序方式、一种是交叉方式
顺序方式：
某个模块进行存取时，其它模块不工作，某一模块出现故障时，其它模块可以照常工作，通过增添模块来扩充存储器容量比较方便，但各模块串行工作，存储器的带宽收到了限制。
说明：如上图顺序方式，总共有4各模块，每个模块8个单元（M0,M1,M2,M3），每个单元5位地址（5个存储元），其中5位地址中高2位（4和3）为模块地址（用于标记处于哪个模块M0,M1,M2,M3），低3位为模块内地址（字地址）；顺序方式中连续地址基本分布在同一模块内，同一模块内的地址是连续的（M0: 0-7，M1：8-15 ....）
交叉方式：
说明：如上图交叉方式，总共有4各模块，每个模块8个单元（M0,M1,M2,M3），每个单元5位地址（5个存储元），其中5位地址中低2位（1和2）为模块地址（用于标记处于哪个模块M0,M1,M2,M3），高3位为模块内地址（字地址）；
交叉方式的特点：地址码的低位字段经过译码（片选，非门）选择不同的模块，而高位字段指向相应模块内的存储字。连续地址分布在相邻的不同模块内，同一模块内的地址是不连续的；对连续字的成块传送可实现多模块并行存取，提高了存储器的带宽
定量分析：
顺序方式存储器连续读取m个字所需时间为t=mT
交叉方式：
假设模块字长等于数据总线宽度，模块存取一个字的存储周期为T，总线传送周期为τ，存储器的交叉模块数为m(m=4)，为了实现流水线方式存取。应当满足T=mτ；
（m=T/τ称为交叉存取度）要求模块数须大于或等于m，以保证启动某模块后经mτ时间再次启动该模块时，它的上次存取操作已经完成。连续读取m个字所需时间为 t1=T+(m-1)τ