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攻入三星腹地:国产存储芯片创新高,取代的历史正在重演

攻入三星腹地:国产存储芯片创新高,取代的历史正在重演

致钛

提起三星,所有人第一印象可能是手机业务。诚然三星是全球智能手机销量冠军,但是手机业务在三星电子中的重要度只能排在第三名,三星集团真正核心的业务是半导体以及显示部门。

攻入三星腹地:国产存储芯片创新高,取代的历史正在重演

三星财报

根据三星财报统计数据显示,三星半导体以及三星显示部门贡献的利润占三星电子总利润比例为78%,而三星智能手机业务利润占比仅为17%。这也是为什么三星手机逐年走弱的同时,三星电子却愈发强大的原因。

而在三星半导体当中,存储部门又是其中利润最为丰厚的部门。伴随着智能手机的爆炸性增长,对于存储的需求也随之井喷,三星则成为其中最大受益者之一。目前在全球存储芯片市场中三星占比超过38%,是毫无疑问的统治者。但是最近这个挑战者也迎来了最大的对手,那就是国产存储芯片的崛起。

攻入三星腹地:国产存储芯片创新高,取代的历史正在重演

长江存储实现128层3D NAND量产

存储芯片的重要性毋庸置疑,无论是智能手机、个人电脑还是超级计算机、服务器、云计算等诸多领域都离不开存储芯片的身影,在某种程度上来说存储着数据的存储芯片的重要性丝毫不亚于中央处理器芯片。

大陆作为全球规模最大的存储芯片市场,每年存储芯片的需求占比高达36%;但和巨大的需求相比,存储芯片的自产率长期以来一直是刺眼的0。“巨大市场需求”加上“低自给率”毫无疑问就是需要突破的重点,伴随着国家集成电路产业投资基金的设立以及总投资高达1600亿元人民币的国家存储器基地的建设,国产存储器开始了高速的发展。

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长江存储

包括长江存储、长鑫存储、兆易创新等存储芯片厂商纷纷发力开始抢夺市场,其中长鑫存储的17nm工艺DRAM芯片良品率已经达到了40%,将于2022年第二季度开始供货DDR4内存,同时长鑫还会继续研发更为先进的 7nm 及以下工艺的 DDR5内存。

长江存储则在NAND领域发力,不但推出了自主研发的“Xtacking”架构,经过不懈地努力已经实现了128层3D NAND存储芯片量产,距离三星等厂商的176层3D NAND仅仅相差了一代技术。基于“Xtacking”技术使得长江存储的NAND写入和擦除的综合速度达到3Gbp/s,即使对比三星的V-NAND 3D堆叠技术也毫不逊色,因此也打入了华为Mate40系列手机并完成了国产化替代。

长江存储还打造了民用品牌致钛进入消费市场进行竞争,其中旗舰级的致钛PC005 Active可以实现高达3500MB/s的顺序读取速度以及最高2900MB/s的顺序写入速度,可以完全满足设计以及电竞发烧友的需求。也用实际产品打消了人们对于国产存储芯片真实性的怀疑。

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国产存储芯片市场份额走势

写在最后

国产存储芯片的崛起已经势不可挡,根据数据统计显示,预计2022年国产存储芯片占全球市场份额将达到4%,而到2025年预计国产芯片占全球市场份额将达到12%。

就像在家电、通信、航空航天、高铁等领域完成国产化一样,如今的国产存储芯片正走在自己前辈的道路上,从无到有最终实现完全替代,而三星也正在逐渐迎来自己电子王国的黄昏。

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