存储芯片行业新机遇
存储芯片价格持上涨
2023年四季度，存储芯片价格出现明显回暖。三星、SK海力士等大厂纷纷宣布将在2024年继上调存储芯片价格。这预示着存储芯片行业步入了上行周期，供不应求的局面初现端倪。
回顾过去一年，存储芯片行业可谓遭遇了滑铁卢。2022年下半年开始，受消费电子市场需求疲软等因素影响，存储芯片价格节节下跌。到了2023年，情况更加严峻，一度出现低价甚至亏本的交易。三星、美光、SK海力士等存储芯片巨头全年亏损高达数百亿美元，创下历史新低。
面对如此糟糕的市场形势，存储芯片厂商不得不采取减产、控制产能等自救措施。数据显示，2023年各大存储原厂NAND Flash减产幅度都在30%至50%，尤其是产能占比较大的成熟制程产品。通过这些努力，到了2023年第四季度，供需两端的天平终于开始趋于回正。
随着终端消费电子预期和信心的快速回暖，这一轮去库存周期得到明显改善。存储芯片厂商也终于重新获得了定价权，纷纷启动涨价计划。以SK海力士为例，该公司宣布将DRAM、NAND Flash芯片合约价上调10%至20%。其他厂商如三星、美光也有类似的动作。
业内人士，此轮调价很快就见到了成效。以国内存储芯片企业江波龙为例，该公司2023年第四季度预计实现营收35亿至40亿元，环比和同比分别增长约70%和80%。毛利率也将回升超过13个百分点。随着需求的持续回暖，存储芯片价格的上涨势头还将持续一段时间。
人工智能带来新需求
人工智能浪潮的到来，为存储芯片行业带来了前所未有的发展机遇。以AI大模型为代表的新兴应用，对高性能存储芯片如HBM（高带宽存储器等的需求激增。
HBM具有高容量、高带宽、低延时和低功耗等优点，被视为AI训练和推理的理想存储芯片。数据显示，2023年HBM芯片的平均售价是传统DRAM内存芯片的五倍之多。未来几年，HBM供应的年复合增长率将高达45%，价格也将长期保持高位。
面对HBM等高端存储芯片的火爆需求，存储芯片巨头们已加速扩产。以SK海力士为例，该公司副社长透露，2023年公司的HBM产能已全部售罄，正在为2025年做准备。美光科技CEO也对外表示，2024年公司的HBM产能预计将全部售罄。
为抓住AI浪潮带来的机遇，存储芯片厂商还在加快HBM等高端产品的技术迭代步伐。美光最新推出的HBM3E被视为AI应用的最高规格DRAM产品，已开始批量生产并将应用于英伟达的AI芯片。三星和SK海力士也在积极推进HBM4等下一代高端存储芯片的研发和量产。
除了AI，智能汽车、元宇宙等新兴应用场景也将催生大量新的存储需求。以汽车电子为例，新能源汽车和自动驾驶汽车对于存储芯片的需求正在快速增长。据测算，到2030年，单车存储芯片需求将达到2GB，整个汽车电子存储芯片市场规模将超过200亿美元。
国产存储芯片发展机遇
在人工智能、智能汽车等新兴应用的推动下，国内存储芯片企业也将迎来重要的发展机遇。
近年来，在国家政策的大力支持下，国产存储芯片取得了突破性进展。以长江存储、长鑫存储为代表的企业，在3D NAND Flash和DRAM存储器领域实现了从0到1的突破，产品质量和产能水平不断提升，全球市场份额逐年扩大。
国内存储芯片产业链也在加快完善。在设计、设备、材料等环节，越来越多的国产企业开始切入，形成了初步的配套能力。这为国内存储芯片企业提供了坚实的支撑。
业内人士认为，在AI、智能汽车等新兴应用的带动下，国内存储芯片企业将迎来重要的发展窗口期。一方面，新兴应用对存储芯片的性能要求更高，这给了国内企业在高端市场分一杯羹的机会；另一方面，新兴应用对存储芯片的需求量也在快速增长，这将推动国内企业进一步扩大产能。
与国际巨头相比，国内存储芯片企业在技术积累、产能规模等方面仍存在一定差距。但只要抓住机遇，在新兴应用领域先人一步占据一席之地，国产存储芯片就有望借力打力，实现弯道超车。
存储芯片技术创新
存储芯片技术的不断创新，将推动整个行业向更高层次发展。在3D堆叠、新型存储介质等多个领域，存储芯片的技术革新正在进行。
以3D NAND为例，各家存储芯片厂商都在不断刷新堆叠层数的纪录。目前，SK海力士已推出321层的3D NAND Flash样品，计划2025年实现量产；三星的超300层3D NAND Flash也取得了重要进展，有望在今年实现量产。
通过不断增加堆叠层数，3D NAND的存储密度将持续提升，有望突破当前的物理极限。存储芯片厂商还在探索新型存储介质，以进一步提高存储密度。长江存储等国内企业在Xstacking等创新存储技术方面已取得突破，有望引领下一代存储技术革命。
在高端存储芯片领域，HBM、HBM3E等新型高带宽存储器也在不断推陈出新。以HBM3E为例，相比上一代HBM2E，其内部垂直密度提高了20%以上，同时还提高了产品良率。HBM4等更高端产品将继推出，为AI等应用提供更强大的存储支撑。
除了硬件创新，存储芯片的设计技术也在不断革新。以美光为例，该公司在最新的HBM3E产品中采用了根据层数可调制的编程、读取电压配置，有效补偿了器件特性随阵列物理结构的分布差异，降低了单元串扰影响。
在新兴应用的推动下，存储芯片技术创新的步伐只会不断加快。存储芯片的性能、密度和能效比都将得到全面的提升，为数字时代的发展注入新的动力。