存儲晶片行業新機遇
存儲晶片價格持上漲
2023年四季度，存儲晶片價格出現明顯回暖。三星、SK海力士等大廠紛紛宣布将在2024年繼上調存儲晶片價格。這預示着存儲晶片行業步入了上行周期，供不應求的局面初現端倪。
回顧過去一年，存儲晶片行業可謂遭遇了滑鐵盧。2022年下半年開始，受消費電子市場需求疲軟等因素影響，存儲晶片價格節節下跌。到了2023年，情況更加嚴峻，一度出現低價甚至虧本的交易。三星、美光、SK海力士等存儲晶片巨頭全年虧損高達數百億美元，創下曆史新低。
面對如此糟糕的市場形勢，存儲晶片廠商不得不采取減産、控制産能等自救措施。資料顯示，2023年各大存儲原廠NAND Flash減産幅度都在30%至50%，尤其是産能占比較大的成熟制程産品。通過這些努力，到了2023年第四季度，供需兩端的天平終于開始趨于回正。
随着終端消費電子預期和信心的快速回暖，這一輪去庫存周期得到明顯改善。存儲晶片廠商也終于重新獲得了定價權，紛紛啟動漲價計劃。以SK海力士為例，該公司宣布将DRAM、NAND Flash晶片合約價上調10%至20%。其他廠商如三星、美光也有類似的動作。
業内人士，此輪調價很快就見到了成效。以國記憶體儲晶片企業江波龍為例，該公司2023年第四季度預計實作營收35億至40億元，環比和同比分别增長約70%和80%。毛利率也将回升超過13個百分點。随着需求的持續回暖，存儲晶片價格的上漲勢頭還将持續一段時間。
人工智能帶來新需求
人工智能浪潮的到來，為存儲晶片行業帶來了前所未有的發展機遇。以AI大模型為代表的新興應用，對高性能存儲晶片如HBM（高帶寬存儲器等的需求激增。
HBM具有高容量、高帶寬、低延時和低功耗等優點，被視為AI訓練和推理的理想存儲晶片。資料顯示，2023年HBM晶片的平均售價是傳統DRAM記憶體晶片的五倍之多。未來幾年，HBM供應的年複合增長率将高達45%，價格也将長期保持高位。
面對HBM等高端存儲晶片的火爆需求，存儲晶片巨頭們已加速擴産。以SK海力士為例，該公司副社長透露，2023年公司的HBM産能已全部售罄，正在為2025年做準備。美光科技CEO也對外表示，2024年公司的HBM産能預計将全部售罄。
為抓住AI浪潮帶來的機遇，存儲晶片廠商還在加快HBM等高端産品的技術疊代步伐。美光最新推出的HBM3E被視為AI應用的最高規格DRAM産品，已開始批量生産并将應用于英偉達的AI晶片。三星和SK海力士也在積極推進HBM4等下一代高端存儲晶片的研發和量産。
除了AI，智能汽車、元宇宙等新興應用場景也将催生大量新的存儲需求。以汽車電子為例，新能源汽車和自動駕駛汽車對于存儲晶片的需求正在快速增長。據測算，到2030年，單車存儲晶片需求将達到2GB，整個汽車電子存儲晶片市場規模将超過200億美元。
國産存儲晶片發展機遇
在人工智能、智能汽車等新興應用的推動下，國記憶體儲晶片企業也将迎來重要的發展機遇。
近年來，在國家政策的大力支援下，國産存儲晶片取得了突破性進展。以長江存儲、長鑫存儲為代表的企業，在3D NAND Flash和DRAM存儲器領域實作了從0到1的突破，産品品質和産能水準不斷提升，全球市場佔有率逐年擴大。
國記憶體儲晶片産業鍊也在加快完善。在設計、裝置、材料等環節，越來越多的國産企業開始切入，形成了初步的配套能力。這為國記憶體儲晶片企業提供了堅實的支撐。
業内人士認為，在AI、智能汽車等新興應用的帶動下，國記憶體儲晶片企業将迎來重要的發展視窗期。一方面，新興應用對存儲晶片的性能要求更高，這給了國内企業在高端市場分一杯羹的機會；另一方面，新興應用對存儲晶片的需求量也在快速增長，這将推動國内企業進一步擴大産能。
與國際巨頭相比，國記憶體儲晶片企業在技術積累、産能規模等方面仍存在一定差距。但隻要抓住機遇，在新興應用領域先人一步占據一席之地，國産存儲晶片就有望借力打力，實作彎道超車。
存儲晶片技術創新
存儲晶片技術的不斷創新，将推動整個行業向更高層次發展。在3D堆疊、新型存儲媒體等多個領域，存儲晶片的技術革新正在進行。
以3D NAND為例，各家存儲晶片廠商都在不斷重新整理堆疊層數的紀錄。目前，SK海力士已推出321層的3D NAND Flash樣品，計劃2025年實作量産；三星的超300層3D NAND Flash也取得了重要進展，有望在今年實作量産。
通過不斷增加堆疊層數，3D NAND的存儲密度将持續提升，有望突破目前的實體極限。存儲晶片廠商還在探索新型存儲媒體，以進一步提高存儲密度。長江存儲等國内企業在Xstacking等創新存儲技術方面已取得突破，有望引領下一代存儲技術革命。
在高端存儲晶片領域，HBM、HBM3E等新型高帶寬存儲器也在不斷推陳出新。以HBM3E為例，相比上一代HBM2E，其内部垂直密度提高了20%以上，同時還提高了産品良率。HBM4等更高端産品将繼推出，為AI等應用提供更強大的存儲支撐。
除了硬體創新，存儲晶片的設計技術也在不斷革新。以美光為例，該公司在最新的HBM3E産品中采用了根據層數可調制的程式設計、讀取電壓配置，有效補償了器件特性随陣列實體結構的分布差異，降低了單元串擾影響。
在新興應用的推動下，存儲晶片技術創新的步伐隻會不斷加快。存儲晶片的性能、密度和能效比都将得到全面的提升，為數字時代的發展注入新的動力。