200层3D NAND时代来临？三星、美光或将率先量产

芯研所援引互联网消息，近日，据《电子时报》援引消息人士称，三星和美光可能正在批量生产200层以上3D NAND闪存芯片，闪存行业正式进入新制程时代。

该人士表示，三星在韩国平泽的新工厂于2021年下半年开始生产，并将在今年提高176层3D NAND芯片的产量。过渡到176层3D NAND闪存制造，预计将使三星新工厂的总产量在2022年提高到每月5万个晶圆。

此外，三星决定将其双层技术整合到其176层3D NAND制造工艺中，可以加速其向200层以上一代的过渡，并有助于扩大其相对于竞争对手的技术领先优势。

而美光早在2022年1月就宣布已开始批量出货其宣称业界首款176层QLC NAND SSD硬盘。公司此前表示，它将努力在整个行业的利润池中获得更大的份额，而非增长其在行业产量中的份额。

因此，三星、美光或将在200层NAND颗粒竞争中，取得先机。

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