在近日召开的2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）期间，英特尔正式公布了多项新技术，据称可以在未来十年帮助英特尔芯片不断缩小尺寸、提升性能，其中的一些技术准备将不同芯片进行堆叠处理。
英特尔高级院士兼组件研究部门总经理Robert Chau表示：“在英特尔，为持续推进摩尔定律而进行的研究和创新从未止步。英特尔的组件研究团队在IEDM 2021上分享了关键的研究突破，这些突破将带来革命性的制程工艺和封装技术，以满足行业和社会对强大计算的无限需求。这是我们最优秀的科学家和工程师们不懈努力的结果，他们将继续站在技术创新的最前沿，不断延续摩尔定律。”
据悉，英特尔的组件研究小组致力于在三个关键领域进行创新：用于提供更多晶体管的基本缩放技术；用于功率和内存增益的新硅功能；探索物理学中的新概念，以彻底改变世界的计算方式。许多突破先前摩尔定律障碍并出现在今天产品中的创新都始于组件研究的工作——包括应变硅、Hi-K金属栅极、FinFET晶体管、RibbonFET，以及包括EMIB和Foveros Direct在内的封装创新。
超越其全栅极RibbonFET，英特尔正在通过堆叠多个（CMOS）晶体管的方法掌握即将到来的后FinFET时代，该方法旨在实现最大30%至50%的逻辑缩放改进，以推动摩尔定律的不断发展通过每平方毫米安装更多的晶体管。
英特尔还通过前瞻性研究为摩尔定律进入埃时代铺平了道路，该研究展示了如何使用只有几个原子厚的新型材料来制造克服传统硅通道限制的晶体管，从而使每个芯片面积上增加数百万个晶体管为未来十年更强大的计算。
在IEDM 2021上，英特尔还展示了世界上第一个在室温下实现磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件的实验性实现，这展示了基于开关纳米级磁铁的新型晶体管的潜在可制造性。
英特尔和IMEC正在自旋电子材料研究方面取得进展，以使器件集成研究接近实现全功能自旋扭矩器件。
英特尔还展示了用于实现与CMOS制造兼容的可扩展量子计算的完整300毫米量子位工艺流程，并确定了未来研究的下一步。