在近日召開的2021 IEEE國際電子器件會議（IEDM）期間，英特爾正式公布了多項新技術，據稱可以在未來十年幫助英特爾晶片不斷縮小尺寸、提升性能，其中的一些技術準備将不同晶片進行堆疊處理。
英特爾進階院士兼元件研究部門總經理Robert Chau表示：“在英特爾，為持續推進摩爾定律而進行的研究和創新從未止步。英特爾的元件研究團隊在IEDM 2021上分享了關鍵的研究突破，這些突破将帶來革命性的制程工藝和封裝技術，以滿足行業和社會對強大計算的無限需求。這是我們最優秀的科學家和工程師們不懈努力的結果，他們将繼續站在技術創新的最前沿，不斷延續摩爾定律。”
據悉，英特爾的元件研究小組緻力于在三個關鍵領域進行創新：用于提供更多半導體的基本縮放技術；用于功率和記憶體增益的新矽功能；探索實體學中的新概念，以徹底改變世界的計算方式。許多突破先前摩爾定律障礙并出現在今天産品中的創新都始于元件研究的工作——包括應變矽、Hi-K金屬栅極、FinFET半導體、RibbonFET，以及包括EMIB和Foveros Direct在内的封裝創新。
超越其全栅極RibbonFET，英特爾正在通過堆疊多個（CMOS）半導體的方法掌握即将到來的後FinFET時代，該方法旨在實作最大30%至50%的邏輯縮放改進，以推動摩爾定律的不斷發展通過每平方毫米安裝更多的半導體。
英特爾還通過前瞻性研究為摩爾定律進入埃時代鋪平了道路，該研究展示了如何使用隻有幾個原子厚的新型材料來制造克服傳統矽通道限制的半導體，進而使每個晶片面積上增加數百萬個半導體為未來十年更強大的計算。
在IEDM 2021上，英特爾還展示了世界上第一個在室溫下實作磁電自旋軌道（MESO）邏輯器件的實驗性實作，這展示了基于開關納米級磁鐵的新型半導體的潛在可制造性。
英特爾和IMEC正在自旋電子材料研究方面取得進展，以使器件內建研究接近實作全功能自旋扭矩器件。
英特爾還展示了用于實作與CMOS制造相容的可擴充量子計算的完整300毫米量子位工藝流程，并确定了未來研究的下一步。