不断追寻摩尔定律的道路，英特尔 (Intel) 揭晓关键封装、晶体管和量子物理等根本性突破，推进和加速运算进入下个十年。日前举行的IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM）2021，英特尔概要论述采用混合键合（hybrid bonding）技术，封装提升超过10倍互联密度、晶体管微缩完成30%~50%面积改善、新电源和新内存技术重大突破，以及未来某个时刻将彻底颠覆运算的新物理概念。
英特尔指出，不断创新为摩尔定律基石，组件研究业务群致力横跨3个关键领域创新，提供更多晶体管必要微缩技术、提升电源和内存的新硅功能、探索新物理概念等以变革命性改变世界运算方式。借组件研究，许多创新打破摩尔定律障碍，并实际应用于产品──应变硅、Hi-K金属闸极、FinFET、RibbonFET，以及EMIB、Foveros Direct等封装创新等。
英特尔在IEDM 2021揭晓的突破，有望2025年后借下列3项领域，继续推动汲取摩尔定律优势；
首先，英特尔追寻基本微缩技术的重要研究，能在未来产品提供更多晶体管：
公司研究人员为混合键合互联设计、制程和组装挑战提出解决方案纲要，预期封装超过10倍互联密度改善。7月Intel Accelerated活动，英特尔宣布导入Foveros Direct计划，完成10微米以下凸点间距，为3D封装提供一个量级互联密度提升。为了让生态系统从先进封装受益，英特尔同样呼吁创建业界新标准和测试步骤，促成混合键合小芯片（chiplet）生态系统。
另外，预期环绕式闸极（gate-all-around）RibbonFET，英特尔正在通过堆栈多个（CMOS）晶体管，掌握即将到来的后FinFET时代，借由每平方毫米放入更多晶体管，完成最高30%~50%逻辑微缩改善，继续推动摩尔定律。
英特尔同时通过前瞻性研究，为摩尔定律构建前进埃米（angstrom）时代的道路。展示仅数个原子厚度的新型材料，如何做出克服传统硅信道限制的晶体管，让每个芯片面积增加数百万个晶体管，为下个十年提供更强大的运算力。
其次，英特尔带来硅的新功能：
关键点在300mm (12英寸) 芯片，完成全球首创集成以氮化镓（GaN）为基础的电源开关和以硅为基础的CMOS，推动更有效率的电源技术，为CPU提供低损失、高速电源供应，并同时缩减主板组件和空间。另一项进展为英特尔使用新型铁电材料，完成领先业界、低延迟读写能力，且有可能成为次世代嵌入式DRAM技术，提供更多的内存资源，解决从游戏到AI等运算应用日益复杂的问题。
最后，英特尔正寻找以晶体硅体管为基础的量子运算的强劲性能，以及与新型室温设备搭配运行，拥有巨量能源效率运算的全新开关。将来采用全新物理概念的揭示，可能取代传统MOSFET：
IEDM 2021英特尔展示室温运行的全球首款实验性磁电自旋轨道（magnetoelectric spin-orbit，MESO）逻辑设备，显示基于开关纳米规模磁铁的新型晶体管制造潜力。英特尔和IMEC在自旋电子材料研究取得进展，将设备集成研究更进一步带往实现全功能自旋转距（spin-torque）设备。英特尔还展出与CMOS生生产机制造兼容，实现可扩展量子运算的完整300mm量子位元制程流程，确定研究的下一步。
(图片来源：英特尔)