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不擠牙膏了!intel 10nm性能參數公布

日前,intel再次強調10nm晶片定于今年底上市,其核心名額包括“1平方毫米中塞下1億個半導體、鳍片間距做到34nm,最小金屬間距則做到36nm”。

關于10nm的家族代号目前存在争議,因為intel今年2月又宣布了8代酷睿,是以cannon lake有些人說是10nm代号,有些說是新酷睿代号,不過筆者比較傾向anandtech的看法,也就是前者。

不擠牙膏了!intel 10nm性能參數公布
不擠牙膏了!intel 10nm性能參數公布

按照intel公布的名額,8代酷睿依然是14nm,号稱曆史最強,性能較kaby lake提升15%,那麼10nm呢?

在intel techday上公布的ppt顯示,第一代10nm将比14nm在性能上提升25%,功耗降低45%,改良版的10nm++性能會再次提升15%,功耗再降30%,換算下來,目前intel規劃中的10nm最好的狀态是比14nm性能提升43%左右。

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本文轉自d1net(轉載)

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