3d xpoint技術是intel、美光聯合研發的新型非易失性存儲架構，intel方面将其命名為optane傲騰，已經先後釋出了企業級固态硬碟、消費級緩存盤兩種樣式，明年還會有dimm記憶體條，可以說它将模糊傳統存儲、記憶體的界限，稱之為黑科技毫不為過。一直以來，intel對于3d xpoint的内部架構設計和規格諱莫如深，但現在産品有了，就好辦了。
techinsights的逆向工程師們将3d xpoint晶片放在顯微鏡下，發現了一些有趣的現象。
首先來看存儲核心面積：
3d xpoint居然完全不如當今的一衆nand閃存，别說3d立體式的，就連2d平面式的都趕不上，隻是和intel/美光的20nm mlc差不多。
好吧，容量其實根本就不是3d xpoint的長項。pci-e固态硬碟首發容量才375gb，後續才會做到750gb、1tb，緩存盤樣式更是隻有16/32gb。
面積那麼大，容量那麼小，存儲密度就可想而知了：
每平方毫米才0.62gb，也是倒數行列，隻有intel/美光堆了64層的256gb tlc nand的七分之一。
經過計算得知，3d xpoint核心中有多達91.4％都被存儲陣列所占據，而傳統的nand閃存最高也就84.9％，而三星的48層堆疊3d v-nand更是不到70％。
當然，這也意味着3d xpoint有很大的潛力，intel或許會慢慢克服新技術面臨的障礙，逐漸提高存儲密度和容量。
另外可以确認，3d xpoint的制造技術是20nm，這也是當今閃存界的主流。
如果對比dram記憶體的話，3d xpoint的存儲密度還是相當可觀的，相比典型的20nm dram要高出大約4.5倍，對比1xnm ddr4也要高出3.3倍左右。
本文轉自d1net（轉載）