本節書摘來自華章出版社《cmos內建電路後端設計與實戰》一 書中的第1章，第1.3節，作者：劉峰，更多章節内容可以通路雲栖社群“華章計算機”公衆号檢視。
根據國際半導體技術發展路線圖（itrs），國際內建電路技術大緻有3個主要趨勢：
1）延續摩爾定律，繼續按比例縮小，英特爾cmos技術工業節點2013年引入14nm，目前已達10nm工業節點，未來正在部署7nm，台積電最高端的cmos技術工藝節點已達到14nm，預計2015年将到達10nm。
2）功能內建，稱為拓展摩爾定律，即在單個晶片／封裝／子產品上更多地內建包括rf、功率控制、無源元件等功能單元。
3）發展新興材料和器件，預計到2019年，可研究出超過cmos器件性能的新器件，可繼續提高cmos工藝的能力。