第一作者：Xiaolong Xu
通訊作者：Yu Ye
通訊機關：北京大學, 量子物質協同創新中心
将二維(2D)範德華半導體內建到矽電子技術中将需要生産大規模、均勻且高度結晶的薄膜。最近，北京大學和量子物質協同創新中心Yu Ye課題組報告了在非晶絕緣襯底上合成晶片級單晶2H二碲化钼(MoTe2)半導體的途徑。刻意植入的單個晶種觸發了通過碲化的平面2D外延生長。所得的單晶膜以優異的均勻性完全覆寫了2.5厘米的晶片。2H MoTe2 2D單晶膜可以将其自身用作模闆，以垂直方式進一步快速外延。用所制備的2H MoTe2單晶制造的半導體陣列具有很高的電性能，具有出色的均勻性和100％的器件良率。
圖1：單晶2H MoTe2圓片的種子生長
圖2：種子區域周圍的TEM表征
圖3：圓片級單晶MoTe2的EBSD表征
圖4：在2H MoTe2單晶薄膜上制備的FET器件的電學特性
原文連結：
https://science.sciencemag.org/content/372/6538/195
課題組首頁：
https://icqm.pku.edu.cn/yw/directory/faculty/associatulty_en/237452.htm