台積電，全球半導體制造領域的領航者，近日宣布了一項震撼業界的計劃：預計于2026年實作1.6納米級别（A16工藝）的晶片量産，且這一技術飛躍極有可能基于現有第一代EUV光刻機實作。此番決策背後，2納米EUV光刻機的高昂成本成為繞不開的現實因素，也映射出台積電在技術與經濟雙重考量下的精妙布局。
盡管ASML最新推出的2納米EUV光刻機幾乎被Intel預訂殆盡，外界曾預測三星與台積電将競相追逐下一代EUV裝置，但台積電卻表現出異乎尋常的冷靜，未見急于采購之舉。這一舉動非但不顯保守，反而彰顯了台積電對成本控制與技術疊代節奏的深刻了解。
回顧曆史，台積電在7納米工藝上的抉擇同樣引人注目。在普遍認為EUV不可或缺之時，台積電憑借成熟的DUV光刻技術，成功開辟出第一條7納米工藝生産線，有效規避了當時EUV技術的不成熟與高昂成本，同時也驗證了其在複雜技術路徑選擇中的精準判斷。三星在EUV技術上的早期嘗試雖然勇敢，卻因良率問題遭遇挫折，反襯出台積電政策的穩健。
當然，EUV光刻機對晶片性能的提升不容小觑，台積電後續在第二代7納米工藝中整合EUV，實作了超過20%的性能躍升，充分展示了EUV技術的巨大潛力。然而，面對2納米EUV光刻機價格的三級跳，從1.2億美金躍至3.8億美金，台積電再次選擇在成本與技術之間尋求最佳平衡點，堅持在A16工藝上利用現有EUV資源。
台積電的這一系列決策，對中國半導體産業而言，無異于一次強有力的啟示。在EUV光刻機擷取困難的背景下，台積電的成功案例提示我們，即便沒有最尖端裝置，通過深度挖掘現有DUV光刻機的潛力，中國芯同樣能夠向7納米、甚至是5納米工藝發起沖擊。目前，國内已有迹象表明，借助DUV光刻機，部分廠商已逼近7納米工藝，且四重曝光技術等創新方法的突破，進一步增強了利用DUV實作更先進工藝的可行性。浸潤式DUV光刻機的先驅林本堅亦表達了對DUV潛力的樂觀态度，盡管他也指出成本将是不可避免的挑戰。
台積電反複證明，先進技術并非全然依賴最新型号的裝置，而是深植于對現有資源的極緻利用與技術創新之中。台積電與中芯國際的緊密聯系，特别是前技術領袖梁孟松的加盟，更是為中國半導體産業的高端工藝研發增添了信心與期待。台積電的這一戰略選擇，不僅是一場技術革命，更是對中國晶片産業自主創新發展的一次深遠激勵，預示着在現有條件限制下，中國芯也能探索出一條通往先進工藝的特色道路。