台积电，全球半导体制造领域的领航者，近日宣布了一项震撼业界的计划：预计于2026年实现1.6纳米级别（A16工艺）的芯片量产，且这一技术飞跃极有可能基于现有第一代EUV光刻机实现。此番决策背后，2纳米EUV光刻机的高昂成本成为绕不开的现实因素，也映射出台积电在技术与经济双重考量下的精妙布局。
尽管ASML最新推出的2纳米EUV光刻机几乎被Intel预订殆尽，外界曾预测三星与台积电将竞相追逐下一代EUV设备，但台积电却表现出异乎寻常的冷静，未见急于采购之举。这一举动非但不显保守，反而彰显了台积电对成本控制与技术迭代节奏的深刻理解。
回顾历史，台积电在7纳米工艺上的抉择同样引人注目。在普遍认为EUV不可或缺之时，台积电凭借成熟的DUV光刻技术，成功开辟出第一条7纳米工艺生产线，有效规避了当时EUV技术的不成熟与高昂成本，同时也验证了其在复杂技术路径选择中的精准判断。三星在EUV技术上的早期尝试虽然勇敢，却因良率问题遭遇挫折，反衬出台积电策略的稳健。
当然，EUV光刻机对芯片性能的提升不容小觑，台积电后续在第二代7纳米工艺中整合EUV，实现了超过20%的性能跃升，充分展示了EUV技术的巨大潜力。然而，面对2纳米EUV光刻机价格的三级跳，从1.2亿美金跃至3.8亿美金，台积电再次选择在成本与技术之间寻求最佳平衡点，坚持在A16工艺上利用现有EUV资源。
台积电的这一系列决策，对中国半导体产业而言，无异于一次强有力的启示。在EUV光刻机获取困难的背景下，台积电的成功案例提示我们，即便没有最尖端设备，通过深度挖掘现有DUV光刻机的潜力，中国芯同样能够向7纳米、甚至是5纳米工艺发起冲击。目前，国内已有迹象表明，借助DUV光刻机，部分厂商已逼近7纳米工艺，且四重曝光技术等创新方法的突破，进一步增强了利用DUV实现更先进工艺的可行性。浸润式DUV光刻机的先驱林本坚亦表达了对DUV潜力的乐观态度，尽管他也指出成本将是不可避免的挑战。
台积电反复证明，先进技术并非全然依赖最新型号的设备，而是深植于对现有资源的极致利用与技术创新之中。台积电与中芯国际的紧密联系，特别是前技术领袖梁孟松的加盟，更是为中国半导体产业的高端工艺研发增添了信心与期待。台积电的这一战略选择，不仅是一场技术革命，更是对中国芯片产业自主创新发展的一次深远激励，预示着在现有条件限制下，中国芯也能探索出一条通往先进工艺的特色道路。