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基于裸晶片封裝的SiC MOSFET功率子產品熱分析

作者:寬禁帶聯盟

文章來源:電器與能效管理技術

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基于裸晶片封裝的SiC MOSFET功率子產品熱分析
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來源:電器與能效管理技術

*聲明:本文由作者原創。文章内容系作者個人觀點,寬禁帶半導體技術創新聯盟轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表本聯盟對該觀點贊同或支援,如果有任何異議,歡迎聯系我們。

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