衆所周知，這幾年中國晶片産業高速發展，産能，産量不斷的提升，在技術上也是不斷的突破，而這也引發了美國的的擔憂。
畢竟美國一直是全球晶片霸主，靠着晶片制霸全球，獲得經濟、政治利益，是以美國不允許中國芯高速發展，特别是不希望中國芯在先進技術上有所突破。
是以我們看到，這幾年美國針對中國晶片産業的打壓，一輪又一輪，越來越嚴，圍堵越來越厲害，美國的目的是邏輯晶片鎖死在14nm，DRAM記憶體鎖死在18nm，NAND閃存鎖死在128層。
說真的，這麼嚴的禁令，對中國芯的影響還是很大的，不過中國芯可沒有被打倒，反而是越戰越勇，産能，産量不斷的增加，在各種先進技術上也是努力突破。
據國家統計局的權威資料顯示，2024年3月份這一個月，中國內建電路産量就高達362億片，同比增長28.4%，創下曆史新高。而累計1-3月份，中國內建電路産量是981億塊，同比增長了40%。
同時有機構分析了最近5年的資料，表示今年前三個月的産量，幾乎是2019年同期的三倍，足以證明在美國打壓之下，中國晶片爆發力有多強了。
為何中國芯增長這麼猛？原因是多方面的，一方面當然是國産新能源車的崛起，到2024年4月份，中國新能源汽車的滲透率超過了50%，國内新能源汽車的保有量超過了2000萬輛。
而新能源汽車需要大量的晶片，一台新能源汽車需要2000-3000顆，是燃油車的5倍，而國産新能源車，大量使用國産晶片，是以也促長了國産芯的成長。
另外國内這幾年在瘋狂的擴産晶片産能，資料顯示，過去這5年，國内晶片産能增長可能超過了50%以上，是以也提高了晶片産量。
不過，大家要注意的是，目前國内主要的晶片産能還是集中在成熟晶片，先進晶片領域的份額還是相當有限的。
是以我們在産量增長的同時，也要注意高端晶片的突破，用量變來引起質變，當我們的先進産能也增長上來，那麼就再也不用愁了。