荷蘭對華光刻機出口政策轉變與中國自主光刻技術發展
2023年，荷蘭首相馬克·呂特通路中國，在記者會上表示荷蘭不會在美國的壓力下完全禁止ASML公司向中國出口光刻機。這一表态引發了外界對荷蘭是否轉變對華出口政策的猜測和讨論。作為全球光刻機制造的龍頭企業，ASML公司一直處于中美科技競争的焦點。美國多次施壓荷蘭，要求其禁止ASML向中國出口先進的EUV光刻機，以遏制中國半導體産業的發展。然而，中國市場對ASML的業務至關重要，完全斷供将給公司帶來巨大損失。在此背景下，荷蘭首相的表态釋放了一些積極信号，那就是荷蘭可能不會完全禁止ASML對華出口，而是在EUV和DUV光刻機之間有所區分。
據彭博社分析，荷蘭可能會限制ASML向中國出口最先進的EUV光刻機，但允許出口分辨率較低的深紫外光刻機（DUV）。這被視為歐盟和美國就限制向中國出口尖端技術所達成的一種妥協。對中國而言，獲得DUV光刻機雖然不如EUV，但仍将對國内晶片制造能力的提升有重要幫助。而對荷蘭和ASML來說，這樣的政策調整在一定程度上可以平衡中美兩國的利益訴求，避免在美國的極限施壓下＂選邊站隊＂。
不過，我們也要看到，荷蘭對華出口限制政策的調整空間有限。一方面，美國對盟友的壓力隻會越來越大，荷蘭很難在長期内獨善其身；另一方面，荷蘭本身也有自身的安全考量，不希望先進技術被中國用于軍事領域。是以，荷蘭允許對華出口光刻機的＂松綁＂可能隻是權宜之計，并非長久之策。
面對西方國家的技術封鎖，中國唯有自力更生，加快關鍵核心技術的自主研發。光刻機制造就是其中的重點領域。近年來，在國家的大力支援下，中國企業在光刻機研發上取得了長足進步。上海微電子裝備集團日前宣布，國産高端光刻機實作重大突破，光刻分辨率達到38nm，這标志着中國在光刻機領域取得了重要進展。盡管與ASML的最先進技術還有差距，但這表明中國完全有能力通過自主創新實作技術突破。
事實上，中國半導體産業的發展從來都不是一蹴而就的。面對發達國家的技術封鎖和壟斷，中國從上世紀80年代開始，就堅定地走自主研發的道路。如今，憑借幾代科研人員的接續奮鬥，中國在晶片設計、制造、封裝測試等各個環節都取得了長足進步，形成了門類齊全的産業鍊條。目前，在14nm及以上制程的晶片制造方面，中國企業已經可以實作規模化量産。在設計領域，中國晶片設計公司如華為海思、寒武紀等已跻身世界一流梯隊。
當然，我們也清醒地認識到，在某些高端領域，中國與發達國家還存在不小差距。晶片制造裝備如光刻機，材料如光刻膠，EDA軟體等，仍是制約産業發展的瓶頸。但隻要中國上下齊心，堅定不移地走自主創新道路，聚焦核心技術攻關，就一定能夠實作關鍵領域的突破。正如中國工程院院士、中國科學院微電子研究所所長葉甜春所言:＂隻要我們堅定信心，保持定力，最終一定能夠實作技術的自立自強。＂
荷蘭首相呂特訪華後的表态，為中國獲得先進光刻機技術帶來了一些希望，但這并非長久之計。受制于美國的壓力和自身的安全考量，荷蘭對華出口限制政策的調整空間有限。長遠來看，中國半導體産業要真正實作自主可控，關鍵還在于加快自主研發，掌握核心技術。隻有在關鍵領域不斷取得突破，中國才能真正突破西方的技術封鎖，實作科技自立自強。這需要全社會的共同努力，需要廣大科技工作者的接續奮鬥。我們堅信，隻要保持戰略定力，心無旁骛地走自主創新之路，中國半導體産業就一定能夠實作更大的發展，為建設科技強國、制造強國作出更大貢獻。