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英特爾量産3D先進封裝技術Foveros;南韓将HBM上升為國家戰略技術

作者:芯潮IC
英特爾量産3D先進封裝技術Foveros;南韓将HBM上升為國家戰略技術
英特爾量産3D先進封裝技術Foveros;南韓将HBM上升為國家戰略技術

英特爾量産3D先進封裝技術Foveros

近日,英特爾宣布,已實作基于業界領先的半導體封裝解決方案的大規模生産,其中包括英特爾突破性的3D封裝技術Foveros。

這一技術是在英特爾最新完成更新的美國新墨西哥州Fab 9投産的。據介紹,英特爾的3D先進封裝技術Foveros在處理器的制造過程中,能夠以垂直而非水準方式堆疊計算子產品。此外,Foveros讓英特爾及其代工客戶能夠內建不同的計算晶片,優化成本和能效。英特爾曾表示,到2025年時,其3D Foveros封裝的産能預計将增加四倍。(TechSugar)

南韓将HBM指定為國家戰略技術,拟為三星、SK海力士等提供稅收優惠

南韓将把高帶寬記憶體(HBM)技術指定為國家戰略技術,并将為三星電子和SK海力士等HBM供應商提供稅收優惠。 (南韓每日經濟新聞)

「武漢光钜」再獲2億元B輪融資,為三星提供BAW濾波器

近日,武漢光钜微電子有限公司宣布完成2億元人民币B輪融資。此次投資方有甯波甬商實業、湖北省鐵路發展基金、長江成長資本、湖南高新創投等7家投資方。就在半年前,「武漢光钜」剛完成由小米投資的A+輪融資。

該公司成立于2017年,是一家專注研發和生産射頻前端BAW/FBAR濾波器的公司。旗下多款産品已經通過國内頭部ODM廠商聞泰、龍旗進入三星手機、平闆供應鍊,為三星産品提供高性能BAW濾波器。(硬氪)

英特爾量産3D先進封裝技術Foveros;南韓将HBM上升為國家戰略技術

1、因美國出口管制,泛林集團Q2财季中國大陸收入占比下滑至40%;

2、英特爾與聯電将合作開發12納米工藝平台,預計2027年投産;

3、傳蘋果将率先采用台積電2nm工藝;

4、總投資15億元,瑞紅蘇州內建電路用高端光刻膠總部項目簽約落戶;

5、SAP宣布20億歐元重組計劃,将影響8000個工作崗位。

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