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半導體産品Au-Al鍵合系統的失效原因簡介及分析;

Au-AI鍵合系統主要失效原因包括與高溫有關的Au-Al間化合物生長,鍵合界面産生柯肯德爾空洞(Kirkendall)。這兩種原因均會導緻器件引線鍵合強度下降,鍵合點接觸電阻增大甚至開路失效。

半導體産品Au-Al鍵合系統的失效原因簡介及分析;

圖1.Au-Al鍵合系統示意圖

首先我們介紹第一種失效原因:Au-Al間化合物生長。由于金、鋁兩者的化學勢不同,Au-Al鍵合系統經高溫度貯存後(150℃以上,10小時) ,它們之間将産生五種金屬間化合物:Au4Al、Au5Al2、Au2Al、AuAl2、AuAl,它們的晶格常數、膨脹系數、形成過程中體積的變化都是不同的,且電導率較低。在溫度變化過程中,鍵合點存在很大的内應力,極易在相界面處産生裂痕,導緻接觸電阻增大,使用時即表現為時好時壞的現象,最後導緻性能退化或開路。AuAl2呈紫色,俗稱紫斑;Au2Al呈白色,則稱白斑,白斑脆且導電率低,極易産生裂縫;Au4Al、Au5Al2、AuAl呈淺黃色。

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圖2和圖3.Au-Al化合物金相形貌

半導體産品Au-Al鍵合系統的失效原因簡介及分析;
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圖4和圖5.Au-Al化合物SEM形貌

我們再來看看Au-Al鍵合系統的另一種失效原因:鍵合界面的柯肯德爾效應。在高溫下,金-鋁之間原子互擴散,兩者擴散系數不同,Au擴散比Al擴散快,在300℃上連續老化時産生空隙,産生柯肯德爾空洞。在繼續老化過程中,小空隙逐漸連成一片,形成鍵合點界面或周邊空隙,引起接觸不良或引線脫落,導緻開路失效。

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圖6.柯肯德爾空洞SEM形貌

案例分析

下面我舉一個實際案例讓大家更好的認識Au-Al鍵合系統的失效原理。失效的塑封內建電路,多隻引腳開路,開封後發現所有開路引腳鍵合絲均已從焊盤上脫開。

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圖7.失效樣品鍵合絲脫開形貌

觀察焊盤與鍵合金球表面形貌,焊盤處可見黃色、疏松狀物質(圖8)。鍵合金球表面可見凹坑,即是柯肯德爾空洞(圖9)。

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圖8.失效樣品的焊盤處形貌

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圖9.失效樣品的鍵合金球表面形貌

預防

Au-Al鍵合系統失效會導緻接觸不良或引線脫落,使器件性能退化失效,必須 引起重視。根據可能導緻Au-Al化合物及柯肯德爾空洞産生的原因,提出幾條預防措施:

☑在熱超聲焊中選擇最佳鍵合條件,用超聲功率和壓力代替熱壓焊中的純熱鍵合的條件,小心調整适當的溫度、功率和壓力,使金屬間化合物的産生可能性減至最低。

☑Au-Al鍵合失效表現出對溫度的敏感性 ,應該嚴格控制成品的老化溫度,器件使用應該嚴格控制溫升,尤其是功率密度大、外部散熱條件差的器件。

☑采用能防止互相作用的阻擋層。

☑要防止人工操作的失誤,必須小心調試鍵合時的壓力、鍵合超聲功率、鍵合溫度。

☑加強篩選,加強目檢。

Au-Al鍵合在溫沖條件下具有較好的抗熱疲勞性能,鍵合拉力在

合格範圍内,鍵合電阻随着試驗周期的增加而增大;高溫應力導緻

Au_Al鍵合界面形成電阻率較高的化合物,引起鍵合電性能退化。在

150℃和175℃高溫試驗中,Au-AI鍵合電阻随着存儲時間的增加逐漸

增大,在200℃高溫試驗中部分鍵合電阻出現了急劇增大的現象,而

Al_Au鍵合電阻在相應的高溫試驗中基本不變。Au-Al鍵合點的鍵合強

度會随着試驗時間的增加而減小,随着試驗溫度的升高而降低,而

A1_Au外鍵合點的鍵合強度基本保持不變。

對失效樣品進行理化性能檢測分析發現生成了Au5Al。、Aunl和

Au擅l等金屬問化合物和Kerkendall空洞,化合物的形成導緻鍵合電

阻逐漸增加,空洞的出現會使鍵合電阻急劇增加,鍵合溝的存在使空

洞首先在鍵合點外圍形成,提高溫度則可以在Au和富Au相化合物間快

速形成Kerkendal l空洞。

是以在需要異類鍵合時,優先考慮鋁金鍵合,在軍用器件裡面,盡可能減少金鋁鍵合。

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