目錄
一、存儲器種類
二、易失性存儲器 --- RAM 存儲器
1、易失性存儲器 --- RAM 存儲器 --- 動态随機存儲器 DRAM
（1）動态随機存儲器 SDRAM
（2）動态随機存儲器 DDR SDRAM
2、易失性存儲器 --- RAM 存儲器 --- 靜态随機存儲器 SRAM
3、DRAM 與 SRAM 的應用場合
三、非易失性存儲器 --- ROM 存儲器
1、非易失性存儲器 --- ROM 存儲器 --- ROM 存儲器
（1）MASK ROM
（2）OTPROM
（3）EPROM
（4）EEPROM 梳理STM32F429之存儲器部分---NO.1 硬體IIC與EEPROM
2、FLASH 存儲器 梳理STM32F429之存儲器部分---NO.3 硬體SPI與FLASH
一、存儲器種類
存儲器是計算機結構的重要組成部分。存儲器是用來存儲程式代碼和資料的部件，有了存儲器計算機才具有記憶功能。
存儲器按其存儲媒體特性主要分為“ 易失性存儲器”和“非易失性存儲器”兩大類。其中的“易失/非易失”是指存儲器斷電後，它存儲的資料内容是否會丢失的特性。由于一般易失性存儲器存取速度快，而非易失性存儲器可長期儲存資料，它們都在計算機中占據着重要角色。在計算機中易失性存儲器最典型的代表是記憶體，非易失性存儲器的代表則是硬碟。
二、易失性存儲器 --- RAM 存儲器
RAM 是“ Random Access Memory”的縮寫，被譯為随機存儲器。所謂“随機存取”，指的是當存儲器中的消息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段資訊所在的位置無關。實際上現在 RAM 已經專門用于指代作為計算機記憶體的易失性半導體存儲器。
根據 RAM 的存儲機制，又分為動态随機存儲器 DRAM(Dynamic RAM)以及靜态随機存儲器 SRAM(Static RAM)兩種。
1、易失性存儲器 --- RAM 存儲器 --- 動态随機存儲器 DRAM
動态随機存儲器 DRAM 的存儲單元以電容的電荷來表示資料，有電荷代表 1，無電荷代表 0，見下圖。但時間一長，代表 1 的電容會放電，代表 0 的電容會吸收電荷，是以它需要定期重新整理操作，這就是“動态(Dynamic)”一詞所形容的特性。
（1）動态随機存儲器 SDRAM
根據 DRAM 的通訊方式，又分為同步和異步兩種，下圖是一種利用時鐘進行同步的通訊時序，它在時鐘的上升沿表示有效資料。由于使用時鐘同步的通訊速度更快，是以同步 DRAM 使用更為廣泛，這種 DRAM 被稱為 SDRAM(Synchronous DRAM)。
（2）動态随機存儲器 DDR SDRAM
為了進一步提高 SDRAM 的通訊速度，人們設計了 DDR SDRAM 存儲器(Double DataRate SDRAM)。它的存儲特性與 SDRAM 沒有差別，但 SDRAM 隻在上升沿表示有效資料，在 1 個時鐘周期内，隻能表示 1 個有資料；而 DDR SDRAM 在時鐘的上升沿及下降沿各表示一個資料，也就是說在 1 個時鐘周期内可以表示 2 資料，在時鐘頻率同樣的情況下，提高了一倍的速度。至于 DDRII 和 DDRIII，它們的通訊方式并沒有差別，主要是通訊同步時鐘的頻率提高了。
目前個人計算機常用的記憶體條是 DDRIII SDRAM 存儲器，在一個記憶體條上包含多個DDRIII SDRAM 晶片。
2、易失性存儲器 --- RAM 存儲器 --- 靜态随機存儲器 SRAM
靜态随機存儲器 SRAM 的存儲單元以鎖存器來存儲資料，見下圖。這種電路結構不需要定時重新整理充電，就能保持狀态(當然，如果斷電了，資料還是會丢失的)，是以這種存儲器被稱為“靜态(Static)” RAM。
SRAM 根據其通訊方式也分為同步(SSRAM)和異步 SRAM， 相對來說，異步SDRAM 用得較多。
3、DRAM 與 SRAM 的應用場合
對比 DRAM 與 SRAM 的結構，可知 DRAM 的結構簡單得多，是以生産相同容量的存儲器， DRAM 的成本要更低，且內建度更高。而 DRAM 中的電容結構則決定了它的存取速度不如 SRAM，特性對比見下表。
是以在實際應用場合中， SRAM 一般隻用于 CPU 内部的高速緩存(Cache)，而外部擴充的記憶體一般使用 DRAM。
三、非易失性存儲器 --- ROM 存儲器
非易失性存儲器種類非常多，半導體類的有 ROM 和 FLASH，而其它的則包括CD光牒、軟碟及機械硬碟。
1、非易失性存儲器 --- ROM 存儲器 --- ROM 存儲器
ROM 是“ Read Only Memory”的縮寫，意為隻能讀的存儲器。由于技術的發展，後來設計出了可以友善寫入資料的 ROM，而這個“Read Only Memory”的名稱被沿用下來了，現在一般用于指代非易失性半導體存儲器，包括後面介紹的 FLASH 存儲器，有些人也把它歸到 ROM 類裡邊。
（1）MASK ROM
MASK(掩膜) ROM 就是正宗的“Read Only Memory”，存儲在它内部的資料是在出廠時使用特殊工藝固化的，生産後就不可修改，其主要優勢是大批量生産時成本低。目前在生産量大，資料不需要修改的場合，還有應用。
（2）OTPROM
OTPROM(One Time Programable ROM)是一次可程式設計存儲器。這種存儲器出廠時内部并沒有資料，使用者可以使用專用的程式設計器将自己的資料寫入，但隻能寫入一次，被寫入過後，它的内容也不可再修改。在 NXP 公司生産的控制器晶片中常使用 OTPROM 來存儲密鑰； STM32F429 系列的晶片内部也包含有一部分的 OTPROM 空間。
（3）EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM)是可重複擦寫的存儲器，它解決了 PROM 晶片隻能寫入一次的問題。這種存儲器使用紫外線照射晶片内部擦除資料，擦除和寫入都要專用的裝置。現在這種存儲器基本淘汰，被 EEPROM 取代。
（4）EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)是電可擦除存儲器。 EEPROM 可以重複擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制，不需要再使用外部裝置來擦寫。而且可以按位元組為機關修改資料，無需整個晶片擦除。現在主要使用的 ROM 晶片都是EEPROM。
2、FLASH 存儲器
FLASH 存儲器又稱為閃存，它也是可重複擦寫的儲器，部分書籍會把 FLASH 存儲器稱為 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除時，一般以多個位元組為機關。如有的 FLASH 存儲器以 4096 個位元組為扇區，最小的擦除機關為一個扇區。根據存儲單元電路的不同， FLASH 存儲器又分為 NOR FLASH 和 NAND FLASH，見下表。
NOR 與 NAND 的共性是在資料寫入前都需要有擦除操作，而擦除操作一般是以“扇區/塊”為機關的。而 NOR 與 NAND 特性的差别，主要是由于其内部“位址/資料線”是否分開導緻的。
由于 NOR 的位址線和資料線分開，它可以按“位元組”讀寫資料，符合 CPU 的指令譯碼執行要求，是以假如 NOR 上存儲了代碼指令， CPU 給 NOR 一個位址， NOR 就能向CPU 傳回一個資料讓 CPU 執行，中間不需要額外的處理操作。而由于 NAND 的資料和位址線共用，隻能按“塊”來讀寫資料，假如 NAND 上存儲了代碼指令， CPU 給 NAND 位址後，它無法直接傳回該位址的資料，是以不符合指令譯碼要求。 下表中的最後一項“是否支援 XIP”描述的就是這種立即執行的特性(eXecute InPlace)。
若代碼存儲在 NAND 上，可以把它先加載到 RAM 存儲器上，再由 CPU 執行。是以在功能上可以認為 NOR 是一種斷電後資料不丢失的 RAM，但它的擦除機關與 RAM 有差別，且讀寫速度比 RAM 要慢得多。
另外， FLASH 的擦除次數都是有限的(現在普遍是 10 萬次左右)，當它的使用接近壽命的時候，可能會出現寫操作失敗。由于 NAND 通常是整塊擦寫，塊内有一位失效整個塊就會失效，這被稱為壞塊，而且由于擦寫過程複雜，從整體來說 NOR 塊塊更少，壽命更長。由于可能存在壞塊，是以 FLASH 存儲器需要“探測/錯誤更正(EDC/ECC)”算法來確定資料的正确性。