AEC Q100 B組實驗項目總結：
B組是ACCELERATED LIFETIME SIMULATION TESTS，加速壽命模拟測試。
B組的3個驗證都是加速壽命模拟測試項目，是用來模拟/驗證産品的工作壽命的，是以這三項測試，全都需要給産品上電，并且需要産品工作起來才可以。
B1項 - HTOL：高溫工作壽命驗證，主要模拟産品的工作壽命，一般在進行不同溫度級别的環境下，進行1000小時驗證，根據阿倫烏尼斯公式換算得知，在125℃的1000小時加速壽命實驗，可以對應55℃平均使用溫度下的78600小時工作時間，如果連續工作可以長達9年，這可以滿足絕大多數的汽車電子使用需求，是以125℃ 1000小時驗證，也是最為常用的參數選擇。
需要注意的是，此項認證是動态認證，需要産品完全工作起來，并且要監控工作狀态。
對于包含NVM（非易失性存儲功能）的器件，必須根據Q100-005的流程在HTOL驗證之前進行預處理（擦寫循環驗證）。
B2項 - ELFR：早期壽命失效率驗證，非破壞性測試，在A、B兩組驗證中，僅有PC和ELFR是非破壞性的，它主要驗證産品在早期工作壽命過程中的失效率，是以驗證時間比較短，但是需要數量大，800pcs*3批次，也就是2400pcs樣品。
一般進行不同溫度級别48小時的驗證，125℃的48小時對應55℃平均使用溫度下的3773小時工作時間，約為半年時間，根據浴盆模型，絕大多數的生産和工藝問題都會在這個初始階段暴露出來。
因為早夭驗證的樣品數量實在太大，是以根據AEC Q100的規定，這些驗證樣品還可以作為合格樣品出售給客戶，也可以繼續用于其他的驗證項目。
B3項 - EDR： NVM非易失性存儲器驗證，很多朋友會有一個誤區，就是僅存儲器晶片比如NOR、NAND等才需要進行EDR驗證，但是實際上，任何包含NVM子產品的晶片，都需要進行EDR的驗證，而且如果帶有NVM的MCU，還要根據B3項中的預處理流程，先進行NVM的預處理然後再開始HTOL。而且EDR分為高溫和低溫驗證，高低溫的失效模式并不相同，是以原則上都需要獨立驗證。
EDR流程相對來說還是比較複雜的，是以想完整通過AEC Q100驗證還是有一定的難度。
如上對B組的加速壽命模拟驗證項目進行了彙總，希望對大家有所幫助，歡迎交流溝通。
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